《半導體》臺積電擬擴大在美投資 2課題仍考驗川普

川普在第一任總統任期期間，除了挑起中美貿易戰外，也將中美科技戰推升至檯面，半導體成爲國家安全議題後，也開始倡議半導體在美國製造。隨着川普二度上任後，地緣政治壓力快速升溫，臺積電身爲半導體產業的兵家必爭之地，受到的地緣政治壓力亦隨之提升。

臺積電自2020年起陸續在美國投資新建先進製程產能，不過，建廠期間面臨人力短缺等課題影響，使臺積電亞利桑那州Fab21 P1廠至2024年底才正式進入量產，P2廠雖在建設中，但也較原訂期程遞延，P3廠則預計2030年前完成，預計3座先進晶圓廠投資650億美元。

臺積電4日宣佈有意對美國先進半導體制造擴大投資1千億美元，除了原定承諾的3座先進製程晶圓廠外，再規畫新增3座晶圓廠、2座先進封裝廠及1座研發中心，合計在美國投資金額將提高至1650億美元。

陳澤嘉觀察，臺積電此次宣佈加碼投資美國，將是美國迄今最大單一外國直接投資（FDI）案，且投資案內容可望滿足川普要求強化半導體在美國製造的戰略，並有利創造當地經濟發展與就業機會，是臺積電權衡投資與地緣政治需求下的適切策略。

陳澤嘉認爲，亞利桑那州的投資計劃案推進過程已凸顯臺積電建廠期間面臨的衆多挑戰，此次追加投資預期未來4年建廠將需要4萬名營建工人，及晶圓廠研發與設備工程師的人才需求，將伴隨追加投資再擴增，均是臺積電落實美國投資的關鍵，也是考驗川普政府如何協助臺積電擴大先進製程、落地先進封裝技術與生產能力。

同時，伴隨臺積電擴大在美投資，投資資源比重傾向美國的問題將難以避免，在臺灣及海外其他投資安排需進一步追蹤。不過，陳澤嘉指出，臺積電曾表示最先進製程量產需與研發密切結合，臺灣仍是臺積電全球研發總部所在地，最先進製程在臺優先量產的規畫應不變。