3nm國產芯片突破！廣電計量構建先進製程芯片分析能力，打造全產業鏈第三方檢測頭部...

核心導讀

近日，央視新聞報道國產品牌自主研發設計的3nm製程手機處理器芯片實現重要突破，緊追國際先進水平。這一里程碑不僅打破國際技術壟斷，更推動國產半導體產業鏈在封裝測試、材料供應等環節行程聯動效應協同升級。

然而，芯片的量產之路依然充滿挑戰——從設計端的晶體管結構創新到製造端的原子級工藝控制，從封裝環節的高密度集成難題到量產階段的可靠性驗證，每個環節都需要精準的檢測技術支撐。

廣電計量構建了半導體全產業鏈質量評價與可靠性提升技術服務能力，獲得 CNAS、CMA 等權威認可的檢查分析項目數量位居行業前列，可提供設計驗證、晶圓製造、封裝測試、組裝SMT、應用驗證全過程分析與驗證服務，覆蓋“從圖紙到終端”的產品全生命週期，尤其已具備3nm及以下先進製程芯片的晶圓級製造工藝顯微分析及失效分析能力，技術服務能力達到行業領先水平，打造半導體全產業鏈第三方檢測頭部機構。

先進顯微分析技術助力先進製程芯片失效分析及晶圓製造工藝分析

廣電計量基於透射電子顯微鏡（TEM）和聚焦離子束（FIB）等先進的顯微分析技術，系統開發出了一套全方位檢測分析先進製程芯片內部結構的方案，成功實現了從封裝級到晶圓級，逐級對芯片內部關鍵結構和材料成分的解析。

具備3nm及以下先進製程芯片的晶圓級製造工藝顯微分析及失效分析能力，如FinFet、GAA結構的原子級顯微分析等，可爲3nm及以下先進製程晶圓製造企業提供工藝失效分析、FIB超薄切片和TEM高分辨分析服務。服務的客戶遍佈國內知名晶圓廠、半導體設備商、面板廠、芯片設計公司、高校科研院所等。

先進製程晶圓FinFET超薄切片的TEM照片

聚焦離子束設備

透射電子顯微鏡設備

以先進技術打造協同創新生態 助力中國芯崛起

廣電計量作爲國內晶圓製造工藝及材料分析領域的領先者，不僅在原子級分辨率的形貌表徵和成分分析上取得了突破，更將集成電路應用驗證平臺應用於新能源汽車、北斗導航等多個領域，累計服務上百家芯片設計、製造和應用企業，爲“中國芯”的全面崛起貢獻了重要力量。

廣電計量深化產學研用協同，積極參與行業標準制定，與南京大學、上海交通大學、哈爾濱工業大學、中國科技大學等高校聯合編寫了《聚焦離子束：應用與實踐》和《聚焦離子束：失效分析》兩本專業論著，成爲國內首家參與FIB領域專業書籍撰寫的第三方檢測機構，爲聚焦離子束（FIB）顯微分析技術的推廣積極貢獻力量。同時，積極推動設備與材料檢測的國產化進程，強化與國產設備廠商、材料企業的協同創新，助力構建自主可控的半導體檢測生態，質量護航中國芯崛起。

編寫專業論著

當 3nm 芯片開啓國產半導體的新紀元，廣電計量始終以 "工業眼" 的專業視角，爲產業鏈提供從原子級檢測到系統級驗證的全週期質量保障。我們深耕先進製程檢測技術，賦能芯片設計、製造、應用全環節，與行業夥伴共同書寫中國芯自立自強的新篇章。

廣電計量集成電路測試與分析事業部

廣電計量集成電路測試與分析事業部是國內半導體集成電路領域技術能力最全面、知名度最廣的上市第三方檢測機構之一，聚焦高功率、高速度、高集成和高算力的先進半導體及超大規模集成電路國產自主可控需求，致力於爲半導體全產業鏈提供專業的質量評價與可靠性提升技術服務。

●工業和信息化部“面向集成電路、芯片產業的公共服務平臺”。

●國家發展和改革委員會“導航產品板級組件質量檢測公共服務平臺”。

●廣東省工業和信息化廳“汽車芯片檢測公共服務平臺”。

●江蘇省發展和改革委員會“第三代半導體器件性能測試與材料分析工程研究中心”。

●上海市科學技術委員會“大規模集成電路分析測試平臺”。

●在集成電路及SiC領域是技術能力最全面、知名度最高的第三方檢測機構之一，已完成MCU、AI芯片、安全芯片等上百個型號的芯片驗證，並支持完成多款型號芯片的工程化和量產。

●在車規領域擁有AEC-Q及AQG324全套服務能力，獲得了近50家車廠的認可，出具近400份AEC-Q及AQG324報告，助力100多款車規元器件量產。

●在3nm及以下先進製程工藝晶圓級材料結構顯微分析領域，技術能力與項目經驗位於行業前列。

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《技術引領 廣電計量出版FIB領域專著，賦能半導體質量精準提升》

《前沿設備 先進製程芯片分析能力介紹-微區分析技術TEM》

《服務項目 廣電計量集成電路工程化量產測試服務》

文：吳御驅、陳振

圖：陳振

編輯：楊茜

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