中芯國際申請光電傳感器的形成方法專利，有利於使得光電傳感器的形成工藝兼容性較好

金融界2025年8月4日消息，國家知識產權局信息顯示，中芯國際集成電路製造（北京）有限公司;中芯國際集成電路製造（上海）有限公司申請一項名爲“光電傳感器的形成方法”的專利，公開號CN120417515A，申請日期爲2024年01月。

專利摘要顯示，一種光電傳感器的形成方法，包括：提供基底，包括相背的第一面和第二面，第二面爲受光面，且基底包括感光像素區，感光像素區包括多個呈矩陣分佈的像素單元區；沿第一面圖形化基底，在相鄰像素單元區之間的部分厚度的基底中形成溝槽；沿第二面去除部分厚度的基底，露出溝槽；從第二面填充溝槽，形成隔光結構。

天眼查資料顯示，中芯國際集成電路製造（北京）有限公司，成立於2002年，位於北京市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備製造業爲主的企業。企業註冊資本100000萬美元。通過天眼查大數據分析，中芯國際集成電路製造（北京）有限公司共對外投資了1家企業，參與招投標項目52次，專利信息5000條，此外企業還擁有行政許可226個。

中芯國際集成電路製造（上海）有限公司，成立於2000年，位於上海市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備製造業爲主的企業。企業註冊資本244000萬美元。通過天眼查大數據分析，中芯國際集成電路製造（上海）有限公司共對外投資了4家企業，參與招投標項目127次，財產線索方面有商標信息150條，專利信息5000條，此外企業還擁有行政許可451個。

本文源自：金融界

作者：情報員