合肥晶合集成申請接觸孔形成方法及圖像傳感器專利 有利維持電性穩定

金融界2025年6月3日消息，國家知識產權局信息顯示，合肥晶合集成電路股份有限公司申請一項名爲“接觸孔形成方法及圖像傳感器”的專利，公開號CN120076439A，申請日期爲2025年04月。

專利摘要顯示，本發明公開了一種接觸孔形成方法及圖像傳感器，方法爲：在圖像傳感器的邏輯區和像素區的器件結構上，形成接觸孔刻蝕停止層；在接觸孔刻蝕停止層上填充增厚的層間介電層，增加的厚度等於保護層厚度；並在層間介質層上形成第一硬掩膜層和第二硬掩膜層；以第一硬掩膜層爲掩膜在邏輯區刻蝕接觸孔，像素區在第二硬掩膜層的保護下僅在其上形成掩膜圖案；形成保護邏輯區接觸孔的犧牲層；進行像素區的接觸孔刻蝕，直到保護層之上；繼續向下刻蝕像素區接觸孔下方的保護層，同時刻蝕相同厚度的層間介電層；去除邏輯區的犧牲層並對所有接觸孔進行填充。

本文源自：金融界

作者：情報員