需警惕關鍵製程參數外流的影響

臺積電關鍵製程參數一旦外泄，將對產業競爭格局帶來深遠影響，凸顯技術外流風險需更高度防範。圖／新華社

臺積電驚爆2奈米制程技術疑遭外泄，引發各界高度關注。半導體業者指出，先進製程動輒涉及數千道製程步驟，僅取得零星、片段資料，實際應用效果有限；但此次已有國安單位介入偵辦，顯示恐怕不只是瑣碎資訊外流，甚至不排除已有競爭對手掌握關鍵內容。

業界分析，未來臺積電在海外的營運勢必更加謹慎，特別是美國亞利桑那州廠區未來將導入2奈米及更先進製程，凸顯研發中心根留臺灣、最先進製程也應在臺量產的戰略重要性。

2奈米制程被視爲晶圓代工的關鍵門檻，臺積電在3奈米節點已取得絕對領先優勢，而2奈米導入GAAFET新架構後，也成爲三星、Rapidus等對手試圖實現「彎道超車」的技術突破口。

業者指出，儘管先進製程高度模組化，單一站點或程式的參數不足以複製整體制程，但若研發人員涉入，並掌握良率調校的關鍵資料，將大幅加速對手的量產進度。雖短期內難以撼動臺積電地位，從國安局的高度介入可見，此次事件外泄風險不容小覷。

臺積電一向強調資訊保護機制（PIP）嚴密，對供應商也有相同高標準的資安規範。公司重申，對任何違反營業秘密保護、損害公司利益的行爲，均採取「零容忍」態度。值此臺積電積極拓展海外據點之際，也凸顯技術外流風險需更高度防範。

業界憂心，若類似情況發生在海外廠區，臺灣執法機關恐將失去調查權限。回顧當初亞利桑那州研發中心設立即引發疑慮，所幸後來董事長魏哲家親自釋疑，強調該中心僅聚焦特定節點的製程改善，真正的先進製程研發將仍由臺灣負責。

從全球佈局來看，臺積電已明確表態，最先進的半導體研發基地與量產節點將持續根留臺灣，不僅鞏固技術優勢，更建立無可取代的護城河。關鍵製程參數一旦外泄，將對產業競爭格局帶來深遠影響。對各國及業者而言，取代臺積電的領先地位無疑具備高度誘因。

近期包括日本熊本二廠出現延宕，美國更先進製程進展亦趨謹慎。設備供應鏈指出，設備國產化亦成趨勢之一，臺積電近年已逐步提高本土設備採購比重，預料相關設備供應商將可望成爲下一波受惠族羣。