新華三半導體申請一種繞線路徑生成方法等相關專利，提高芯片的繞線路徑的生成效率

金融界2025年8月2日消息，國家知識產權局信息顯示，新華三半導體技術有限公司申請一項名爲“一種繞線路徑生成方法、裝置、電子設備及存儲介質”的專利，公開號CN120409414A，申請日期爲2025年03月。

專利摘要顯示，本發明實施例提供了一種繞線路徑生成方法、裝置、電子設備及存儲介質，涉及芯片設計技術領域，方法包括：獲得基於芯片設計圖生成的芯片中子系統的無向圖，無向圖中節點表徵子系統包括的後端BE和相鄰子系統對應的虛擬BE，無向圖中邊表徵：所連接節點表徵的BE相鄰；基於無向圖中各邊的設定權重，確定每一對節點中兩個節點間的基準路徑，邊的權重表徵：所連接節點表徵的BE之間的繞線難度；確定存在連接關係的第一BE對；基於第一BE對對應的第一節點對之間的第一基準路徑，生成在目標BE的模擬電路中插入有寄存器的繞線路徑，目標BE爲：第一基準路徑經過的節點表徵的BE。

天眼查資料顯示，新華三半導體技術有限公司，成立於2019年，位於成都市，是一家以從事軟件和信息技術服務業爲主的企業。企業註冊資本100000萬人民幣。通過天眼查大數據分析，新華三半導體技術有限公司參與招投標項目1次，財產線索方面有商標信息20條，專利信息161條，此外企業還擁有行政許可1個。

本文源自：金融界

作者：情報員