外資力挺記憶體 旺宏、力積電漲停率族羣秀肌肉

旺宏（2337）及力積電（6770）18日亮燈漲停， 記憶體族羣再躍多頭指標。美系券商展望記憶體產業，調升旺宏平等及目標價，調高力積，南亞科（2408）、羣聯（8299）及華邦電（2344）目標價。

統一投顧表示，美系大行全面調升覆蓋臺廠目標，各產品分析理由：

- Nor Flash:：觀察供給缺口可能維持在低個位數百分比，並延續到明上半年。供給擴張將受限於後段製程（例如測試產能被重新分配至 GPU），同時需求可能出現季節性回升。

券商上調旺宏25-27年BVPS至20.5/18.8/19.3元，給予明年BVPS的0.9x評價。

上調華邦電明後年EPS至1.5/3.4元，上調25-27年BVPS至23.3/24.6/25.3元，給予明年BVPS的1.5x評價。

- SLC NAND：AI 對 eSSD（如：TLC、QLC NAND）需求增加，排擠legacy NAND 產能(如SLD, MLC)。尤其來自鎧俠與美光的產能縮減，造成高密度 SLC NAND 嚴重缺貨，券商觀察有兩位數百分比的供應缺口，因爲 SLC NAND 的總產能僅約 5 萬片/月。

券商預期 NAND漲價將延續至第 4 季，其中，eSSD漲幅最強，季增 5-10%明年的報價將在今年 10 月底/11 月初敲定，預期將有優於市場的上行循環。

券商上調羣聯明後年EPS至45.1/52.4元，給予明年18xPE評價，同步升目標。

- DDR4：券商預期合約價將追趕現貨價，因儘管三星與 SK 海力士近期宣佈延後EOL時程，但因需求暢旺，仍預估在2025年第4季志2026年第2季會有10-15%的供給缺口（～本季已有2%缺口），券商預期DDR4缺貨到2026年第4季。而主要DRAM廠仍忙於應付DDR5強勁的需求，包括南亞科的主要競爭對手CXMT，因此券商上修DDR5的4Q漲幅爲9%（～之前預估持平），同時漲價效應也擴及DDR3。

券商承認之前低估DDR4 的需求，並高估來自 CXMT 的競爭，重新調整後，上修南亞科明後年EPS至14.4/11.6元，並給予1.5xBVPS評價。