突破碳化矽技術創新優勢 成大晶體研究中心今啟動

成功大學晶體研究中心今在南科臺達大樓啓用，產、官、學界也紛紛派員蒞臨見證。記者萬於甄／攝影

搶佔全球市場先機，成功大學晶體研究中心今在南科臺達大樓啓用，成爲國內唯一具備超高溫大尺寸碳化矽晶體生長技術的學術機構，成大表示，該中心將攜手全球產業夥伴，加速技術轉移，協助提升臺灣半導體、光學、雷射及醫療等領域在全球市場的競爭力。

成大指出，晶體研究中心長期獲國科會與教育部高教深耕計劃支持，目前已突破高溫SiC晶體生長的技術瓶頸，可生長大尺寸、高純度的SiC晶體，爲臺灣半導體與功率元件產業提供關鍵材料，大幅提升電動車、5G通訊、高效能電源管理等應用效能，助產業搶佔全球市場先機。

此外，被視爲下一代高功率電子元件重要材料的氧化鎵（Ga₂O₃），成大晶體研究中心也取得重大進展，透過特殊設計的熔融法生長技術，可成功製備出高品質氧化鎵晶體，未來將與產業界合作，加速商業化應用，助攻臺灣關鍵產業升級。

成大晶體研究中心主持人周明奇表示，晶體研究中心成立獲得產、學界等高度關注，其中，大立光電集團及其子公司臺灣應用晶體公司，將加入成大半導體學院，進行SiC磊晶生長研究，預計將在3年內帶來突破性技術成果。

成大提到，除了國內產學合作外，晶體研究中心已在立陶宛與拉脫維亞設立研究據點，與當地團隊攜手開發高功率薄片雷射系統（TDL），可望應用在先進雷射醫療、精密加工及光通訊等領域，鞏固臺灣在國際晶體技術市場的競爭優勢。

成功大學晶體研究中心今在南科臺達大樓啓用，成爲國內唯一具備超高溫大尺寸碳化矽晶體生長技術的學術機構。記者萬於甄／攝影