成大晶體研究中心揭牌啓用 展示最新鎵晶體技術設備

國立成功大學位於臺南市新市區南科臺達大樓的「晶體研究中心」，26日揭牌啓用，向業界展示最新的碳化矽與氧化鎵晶體技術設備。（張毓翎攝）

晶體研究中心內設立晶體展示廳。（張毓翎攝）

國立成功大學位於臺南市新市區南科臺達大樓的「晶體研究中心」，26日揭牌啓用，向業界展示最新的碳化矽與氧化鎵晶體技術設備，國科會主委吳誠文、教育部主任秘書林伯樵等人也親臨參與這場產學界盛會。

成功大學晶體研究中心主持人周明奇教授表示，本次晶體研究中心的成立，不僅獲得學術界高度關注，更吸引企業大力支持。其中，大立光電集團投入數千萬元建置最先進的晶體生長設備，並額外投入經費專注於氧化鎵技術開發與技術轉移，使研究規模擴增3倍。

周明奇提到，中心長期獲國科會與教育部高教深耕計劃支持，已突破高溫碳化矽晶體生長的技術瓶頸，可生長大尺寸、高純度的碳化矽晶體，成爲國內唯一具備超高溫（2300℃以上）大尺寸碳化矽晶體生長技術的學術機構。

教育部主任秘書林伯樵（左一）等人也親臨參與這場產學界盛會；成功大學晶體研究中心主持人周明奇（左三）說，未來中心攜手產業夥伴，加速技術轉移，提升競爭力。（張毓翎攝）

周明奇補充，除了國內產學合作，中心也積極拓展國際佈局，在拉脫維亞與立陶宛設立海外研究據點，已與當地團隊攜手開發高功率薄片雷射系統，這項技術有望應用於先進雷射醫療、精密加工及光通訊等領域，進一步鞏固臺灣在國際晶體技術市場的競爭優勢。

周明奇說，未來中心攜手產業夥伴，加速技術轉移，推動碳化矽與氧化鎵材料在半導體、光學、雷射及醫療領域的應用，提升臺灣競爭力。