青禾晶元攜手全球頂尖力量，共探低溫鍵合3D集成技術新未來！

2025年8月3日-4日，由中國科學院微電子研究所、先進微系統集成協會、西安電子科技大學、中國電子學會、中國電子材料行業協會、青禾晶元半導體科技（集團）有限責任公司共同主辦的2025中國國際低溫鍵合3D集成技術研討會（LTB-3D 2025 Satellite in China）在天津盛大召開。作爲國際半導體低溫鍵合領域的重要會議，本屆大會首次落地中國即引發行業矚目，吸引了來自英國、新加坡、日本、奧地利、荷蘭、德國等20餘國的200餘名頂尖專家及企業代表齊聚一堂，圍繞低溫鍵合3D集成技術展開深度交流，共同推動行業創新發展。

技術聚焦

低溫鍵合引領半導體新趨勢

本次大會圍繞表面活化鍵合、混合鍵合與3D集成、新型低溫鍵合工藝及材料等六大主題展開研討，匯聚了全球頂尖研究成果：

國際權威分享：日本東京大學/明星大學須賀唯知教授、武漢大學劉勝教授等11位專家發表主旨報告，涵蓋鍵合技術的歷史、現狀與未來展望。

產學研深度結合：來自牛津大學、東京大學、中國科學院微電子研究所等機構的30餘個邀請報告及口頭報告，展示了低溫鍵合技術在材料、工藝、器件等領域的最新突破。

出席大會主要嘉賓

青禾晶元

與行業共成長

青禾晶元始終致力於推動低溫鍵合技術的研發與應用，在此次與國內外專家的會議中，我們深入探討了技術難點與市場機遇，並展示了公司在低溫鍵合設備及材料工藝領域的深厚積累：依託自主創新，青禾晶元已在低溫鍵合領域形成獨特技術優勢；同時通過與國際頂尖機構及企業的協作交流，持續完善技術佈局，助力產業鏈協同發展。未來，青禾晶元將繼續深耕低溫鍵合技術，爲行業提供更高效的解決方案。

展望未來

低溫鍵合技術的無限可能

在AI算力爆發、先進封裝、化合半導體第三波材料浪潮需求的三重驅動下，低溫鍵合技術將成爲延續摩爾定律的核心技術路徑，催生新一代異質集成解決方案，爲中國半導體產業向高端製造升級提供重要契機。

青禾晶元期待與更多合作伙伴攜手，共同推動低溫鍵合技術的創新與應用，爲行業發展注入新動力。