NAND 夯 小摩按讚華邦電

摩根大通（小摩）於近期「全球記憶體產業」報告中指出，隨人工智慧（AI）持續暢旺，推論用的存儲需求將持續提高，預估未來三年NAND記憶體整體潛在市場將進入快速成長，臺廠中較爲看好華邦電（2344），重申「優於大盤」的評等，而南亞科則維持中立。

小摩指出，就長期趨勢來看，NAND市場正處於增長加速期。過去25年，儘管位元需求增長因終端應用成熟而放緩，但平均售價（ASP）降幅減慢抵消這利空。

小摩認爲，NAND受企業級固態硬碟（eSSD）需求激增驅動，未來三年的市場總量年複合成長率（CAGR）預計將從過去的10%提升至30%以上；且目前NAND的單位經濟效益正處於改善軌道。預計每片晶圓產生的NAND營收將從 2025年的5.5萬美元穩步上升至2027年的10.2萬美元。

隨着AI推論帶動儲存需求，eSSD消耗量快速上升。預測eSSD位元需求在2025至2028年間的年複合成長率將達49%，到2028年將佔NAND位元需求的53%。

另一點則是新的技術方法將KV快取從GPU／HBM轉移到儲存裝置，進一步推動高效能eSSD的內容增長；加上由於傳統硬碟（HDD）供應緊張，QLC技術使eSSD在成本和能效上更具競爭力，數據中心正加速採用QLC eSSD取代HDD。

最後，小摩表示，目前主要供應商正將更多生產空間分配給DRAM，導致NAND的實質產能份額下降，供給更趨理性。

高頻寬快閃記憶體（HBF）方面，雖處於概念驗證階段，但若HBF在2028年後成功商業化，將成爲解決「記憶體牆」問題的潛在方案。