南韓又要緊張了！大陸搶攻HBM記憶體 2巨頭首度聯手

最新消息傳出，長江存儲正積極準備進入DRAM記憶體領域，並尋求與長鑫存儲合作，共同攻克HBM記憶體技術難關。（示意圖：shutterstock/達志）

大陸加緊發展AI領域，並持續推進國產化HBM記憶體。最新消息傳出，長江存儲正積極準備進入DRAM記憶體領域，並尋求與長鑫存儲合作，共同攻克HBM記憶體技術難關。

綜合報導，由於長鑫存儲有紮實的DRAM記憶體技術基礎，長江存儲則有領先的Xtacing晶棧工藝，理論上也可以用於記憶體的鍵合與封裝，尤其是隨着HBM的不斷反覆運算，混合封裝是提升頻寬、改進散熱的關鍵所在。

報告顯示，長鑫存儲在HBM2上取得重大突破，已經給客戶送樣，預計2026年年中可小規模量產。同時，長鑫存儲出還在積極推進HBM3，預計最快2026～2027年即可獲得進展，甚至能同步做到HBM3E。

另有報導指出，大陸廠商正在HBM技術上聯合起來，比如長江存儲、武漢新芯開發封裝技術，通富微電子則在組裝環節貢獻力量。相比SK海力士、三星、美光三大原廠，大陸HBM技術雖然差距依舊很大，但追趕的速度非常快。