IMEC、華爲申請具有內柵極和外柵極之間的功函數失配的全環繞柵極器件專利，涉及基於全環繞柵極晶體管結構製成的GAA器件

金融界2025年7月9日消息，國家知識產權局信息顯示，IMEC非營利協會、華爲技術有限公司申請一項名爲“具有內柵極和外柵極之間的功函數失配的全環繞柵極器件”的專利，公開號CN120283454A，申請日期爲2022年09月。

專利摘要顯示，本發明涉及一種基於全環繞柵極(GAA)晶體管結構製成的GAA器件，該結構包括沿第一方向交替地佈置的多個半導體溝道層和一個或多個第一柵極層的堆疊。每一溝道層由柵極介電層包封，並且每一第一柵極層被依次佈置在兩個溝道層之間。GAA晶體管結構還包括兩個第二柵極層，它們在第二方向上將堆疊夾在中間並連接到第一柵極層。每一第一柵極層由第一功函數金屬結構製成，並且每一第二柵極層由不同於第一功函金屬結構的第二功函數金屬結構製成。每一第一柵極層具有第一厚度，並且每一第二柵極層具有大於第一厚度的第二厚度。

本文源自：金融界

作者：情報員