格棋推進碳化矽佈局、8吋製程領先進場 第4季興櫃強化產業與市場信心

隨着全球高效能源、電動車、AI伺服器與儲能系統等高功率應用需求快速增長，第三類半導體材料中的碳化矽（SiC）仍爲各大產業實現高效轉換的關鍵核心，格棋化合物半導體2日表示，雖短期市場面臨終端調整與供應鏈去化壓力，但碳化矽市場中長期前景依然明確，公司將於今年第4季正式興櫃，持續以技術創新與產能韌性強化全球供應鏈佈局，深化與國際客戶的合作基礎。

根據Yole Group於2025年最新發布的《Power SiC 2025》市場報告，全球碳化矽功率元件市場預計將於2030年突破103億美元，2024至2030年年均複合成長率達20.3%。報告明確指出，6吋碳化矽晶圓仍爲現階段主流產線平臺，與8吋碳化矽晶圓將於未來數年內長期共存，並依應用場域策略分佈。

儘管業界高度關注8吋作爲中長期擴產與降本的方向，但目前全球主流IDM與供應商皆以6吋平臺爲量產核心，Yole報告亦指出，2025年全球6吋碳化矽晶圓仍佔出貨主力，且在價格競爭下平均單價年跌幅超過30%，突顯其成本優勢與成熟度。

格棋指出，公司爲臺灣少數具備從碳化矽長晶、晶棒加工至晶圓出貨的垂直整合材料廠，過去兩年投入自有設備與製程開發，聚焦四大核心技術：原材料物性控管、籽晶沾黏精度、熱場參數設計與模組結構穩定性。透過系統性優化，格棋有效控制結晶缺陷密度與應力變異，晶圓導電穩定性與良率皆達國際一線水準。

在產能規劃方面，格棋預計於2025年底將長晶爐數量擴增至百臺規模，搭配自主切割與檢測能力，建構可控交期、彈性擴產的完整量產體系。目前產品線已支援多項高功率應用，包括電動車主驅模組、光儲逆變器與AI高效伺服器，並陸續進入國際客戶驗證流程。

格棋董事長張忠傑強調，6吋平臺現階段仍爲公司量產主軸，具備規模效益與良率控制優勢；同時，8吋晶種長晶與熱場模組設計已完成前期驗證，後續將依據客戶產品世代轉換與應用需求，適時導入8吋製程平臺，確保良率穩定性與成本效益的最佳平衡。

格棋所佈局的雙平臺架構，讓其成爲亞太區內少數可同時提供6吋成熟製程與8吋導入彈性之供應商，爲國際客戶提供策略性選擇，也進一步奠定其在功率元件材料供應鏈中的關鍵角色。

格棋化合物半導體董事長張忠傑。公司／提供