格棋化合物半導體Q4興櫃 強攻碳化矽

格棋化合物半導體積極擴產，將於第四季登錄興櫃。圖／美聯社

看好碳化矽（SiC）發展潛力，格棋化合物半導體積極擴產，將於第四季登錄興櫃。格棋將透過技術創新、產能韌性與去中化策略，深化與北美及日本廠商的合作，提升國際市場能見度。

Yole Group最新《Power SiC 2025》報告，全球碳化矽功率元件市場將於2030年突破103億美元，2024～2030年均複合成長率20.3％。其中，6吋碳化矽晶圓仍是現階段主要產線平臺，8吋則爲中長期擴產與降本方向，兩者將依應用需求長期共存。

格棋已具備6吋穩定量產能力，並完成8吋平臺前期驗證，年底可望放量。同時，格棋也已投入大尺寸晶圓（含12吋）研發，並規劃未來合適時機導入量產。

格棋爲臺灣少數具備長晶、晶棒加工到晶圓出貨垂直整合的業者，核心技術涵蓋材料物性控管、籽晶精度、熱場設計與模組穩定性。透過自主開發與測試調整，成功降低結晶缺陷密度，晶圓導電穩定性已達國際水準。

產能部署方面，格棋長晶爐規模已突破百臺，並持續擴充。同時，亦於臺灣購地並興建萬坪新廠，規劃成爲總部與研發中心，全面提升產能彈性與營運韌性。

格棋產品線涵蓋導電型與半絕緣型晶圓，應用於電動車主驅模組、光儲逆變器與AI高功率伺服器，並已通過多家國際大廠驗證。

面對「去中化」趨勢，格棋展現自制與客戶認證能力，可確保供應安全。該公司同時導入「虛擬IDM」模式，整合原料來源、長晶、設計驗證到終端模組應用，打造一站式服務，針對不同區域客戶提供在地化支援。

格棋也啓動北美、日本與歐洲合作計劃，並規劃設立技術據點，爲國際Tier 1車廠與通訊大廠提供即時服務，加速碳化矽在全球的落地進程。

董事長張忠傑指出，碳化矽並非快速爆發型市場，而是具備長期技術壁壘與應用黏着度的戰略材料。格棋預計四季登錄興櫃，透過資本市場推動產能規模與研發投入，奠定臺灣在全球碳化矽材料供應鏈中的戰略地位。