電源效率再進化 聯電55nm BCD 火力鎖定手機到車用

聯電55奈米BCD平臺的多元應用。圖／公司提供

晶圓代工廠聯電（2303）22日宣佈推出全新 55 奈米 BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）平臺，鎖定行動裝置、消費性電子、車用與工業等電源管理需求。公司表示，新平臺可在單一晶片整合類比、數位與電力元件，帶來更小晶片面積、更低功耗與更佳抗雜訊表現，提升系統設計彈性與可靠性。

此次 55nm BCD 平臺提供三條製程路線：其一爲 Non-EPI（非磊晶）版本，主打高性價比，適合行動與消費性裝置的高效率電源解決方案；其二爲 EPI（磊晶）版本，符合車規 AEC-Q100 Grade 0，支援最高 150V 操作電壓，強化嚴苛環境下的車用電子可靠度；其三爲 SOI（絕緣層上覆矽）版本，符合 AEC-Q100 Grade 1，具備優異抗雜訊、高速運作與超低漏電，鎖定高階車用與工業應用。

平臺並可選配超厚金屬層（UTM）、嵌入式快閃記憶體（eFlash）與電阻式記憶體（RRAM）等技術，以進一步提升效能與系統整合彈性。聯電技研副總徐世傑指出，新推出的 55nm BCD 平臺是公司在 BCD 佈局的重要里程碑，補齊特殊製程版圖並強化電源管理市場競爭力；這套「全新且全面」的 55nm BCD 解決方案着重元件表現，可協助客戶開發創新電源 IC，應用橫跨手機、穿戴、車用到智慧家庭與智慧工廠。

聯電強調，現已建構橫跨 0.35μm、0.25μm、0.18μm、0.11μm 至 55nm 的完整 BCD 家族，並提供多樣電壓選擇、豐富 IP 與設計支援，可加速產品開發與量產時程，強化在智慧電源與混合訊號市場的競爭力，與客戶共同拓展長期成長動能。