長鑫高頻寬記憶體 2026年量產

大陸記憶體大廠長鑫存儲（CXMT）已向華爲在內的境內客戶交付16奈米制程的HBM3（第四代高頻寬記憶體）樣品，預計2026年實現全面量產。儘管在良率和成本競爭力方面仍有提升空間，但產品良率表現已接近三星電子水準。

大陸半導體媒體「芯極速」報導，長鑫存儲在2024年成功量產DDR5 DRAM後，透過光罩修改優化，解決初期寬溫及散熱問題後，2025年下半年平均良率已突破80%，接近市場主流規格標準。該DDR5產品跳過17奈米（D1y）節點直接採用16奈米（D1z）節點，性能可對標三星K4X8G325EB，頻寬達6400Mbps。

爲突破產能瓶頸，長鑫存儲採取 「核心技術自研 + 基礎產能代工」的創新策略，透過與合肥晶合（由合肥官方與力晶等聯合投資）合作轉移基礎晶片生產，大幅釋放內部DRAM產能。

據Trendforce數據預測，2025年長鑫存儲合肥與北京工廠總產能將從每月23萬片提升到28萬片，2026年將進一步攀升至每月29萬到30萬片，全球DRAM市場佔有率預計將提升至15%，2026年營收年增或超過60%。

在HBM這一AI核心存儲賽道，除已交付的16奈米HBM3樣品外，長鑫存儲上海HBM後段封裝廠預計2026年底投產，並計劃2027年完成HBM3E開發。整體進度落後SK海力士（SK Hynix）等國際廠商三至四年。

值得注意的是，長鑫存儲於2024年7月啓動上市輔導備案，並於10月上旬完成證監會「輔導驗收」狀態更新。

市場預計最快2026年第1季完成IPO，計劃籌資人民幣200億至400億元，成爲「存儲晶片第一股」。

先前長鑫存儲在2024年3月完成人民幣百億元融資後，估值已達到人民幣1,508億元，並於近期完成新一輪D+輪融資。在記憶體供需緊張與國產供應鏈自主化雙重利多推動下， IPO估值將突破人民幣3,000億元。