紫光半導體申請強化氮化鉭薄膜的方法專利，提升氮化鉭層阻擋離子的效果

金融界2025年5月20日消息，國家知識產權局信息顯示，成都紫光半導體科技有限公司申請一項名爲“一種強化氮化鉭薄膜的方法”的專利，公開號CN120015609A，申請日期爲2023年11月。

專利摘要顯示，本公開涉及一種強化氮化鉭薄膜的方法，該方法包括：採用原子層沉積方法在過渡層上方形成氮化鉭薄膜，而後通過物理氣相沉積對氮化鉭薄膜進行緻密處理形成緻密氮化鉭層，能夠使氮化鉭層，尤其是氮化鉭層上表面的緻密性提升，不僅能夠提升氮化鉭層阻擋離子的效果，還能夠提升氮化鉭層的抗刻蝕性，進而能夠提升產品的WAT參數、良品率以及可靠性。

天眼查資料顯示，成都紫光半導體科技有限公司，成立於2022年，位於成都市，是一家以從事科技推廣和應用服務業爲主的企業。企業註冊資本25000萬人民幣。通過天眼查大數據分析，成都紫光半導體科技有限公司專利信息19條。

本文源自：金融界

作者：情報員