陽明交大SOT-MRAM關鍵材料突破 助攻商用化

SOT-MRAM發展多年，因元件耐久，被視爲因應高速傳輸、低功耗與AI時代下所需的新世代記憶體，包括英特爾、三星、法國科研機構等等都有投入。過去經濟部支持下，工研院也與臺積電合作研發相關技術，據瞭解，陽明交大研究團隊在材料上新突破，是此技術領域的另一專案，也與臺積電合作。

對於商業化進度，黃彥霖指出，目前已可量產，但仍需要視廠商、市場對成本、價格接受情況。

國科會表示，這次臺灣研究團隊成功跨出關鍵一步，透過創新的材料膜層設計，大幅提升了鎢（W）材料的相穩定性，即使高溫先進製程下，仍能保持卓越的自旋軌道力矩效應。未來將有助於大型語言模型（LLMs）、行動裝置（延長電池續航並提升資料安全性）及車用電子與資料中心（高可靠度與低能耗）。這項成果已發表在《Nature Electronics》期刊上。

國科會也說明，記憶體是電腦的「資料倉庫」，負責儲存指令、運算結果及各種運算所需的資訊。現有的記憶體，一種是速度快但斷電就消失的揮發性記憶體（如DRAM、SRAM）；另一種則是能長期保存資料，但速度較慢的非揮發性記憶體（如Flash）。科學界多年來嘗試開發新型記憶體，但始終難以兼顧「超高速切換」與「長期穩定性」。

依研究團隊的突破，也首次展示四項成果，包括64kb SOT-MRAM陣列整合CMOS控制電路；超高速切換（1奈秒）；長期資料穩定性（大於十年），以及低功耗特性。國科會說，此成果展現臺灣在新世代記憶體技術領域創新實力，也象徵在前瞻半導體與新型記憶體技術上的領先地位。