新聞分析－美要求產能1：1 壓力集中臺積電

臺積電在美擴廠加速進行，亞利桑那州P2廠進度已提前，預估將較原規劃2028年提前一年量產。圖／臺積電提供

行政院副院長鄭麗君日前再度赴美國談判對等關稅，美國政府再提晶片製造「五五分」。半導體業界認爲，臺積電現階段已承諾1,650億美元投資，僅佔其2奈米以下製程產能約3成；若要滿足美方訴求，恐需再擴大投入。設備業者分析，亞利桑那州廠至2029年前，僅有機會完成最初650億美元投資，即便後續六座廠全部落成，也難以達成「1:1」的目標。

臺積電在美擴廠加速進行，廠務業者透露，亞利桑那州P2廠進度已提前，預估將較原規劃2028年提前一年量產；至於P3廠的2奈米及更先進製程，時間表則落在2029年。P2廠自2025年中已進場施工，目前進入無塵室與機電工程階段；P3廠則預計年底發包，明年下半年展開廠務作業。供應鏈並指出，明年下半年還有先進封裝廠要動工，能否如期推進仍具變數。

臺積電亞利桑那一廠目前生產4奈米晶片，月產能僅約2萬片，出貨佔比僅1.5～2％。設備業者觀察，依據1,650億美元的總投資規劃，六座廠完工後，亞利桑那州月產能也不會超過20萬片。相較臺灣本土廠區仍持續擴建並進入量產，美國產能佔比短期內難以追上臺灣。

美國政府強調，先進製程晶片必須有5成於美國生產。業界認爲，關鍵在於美方如何定義「先進製程」，若以7奈米以下統稱，影響將更大；若以晶片「數量」作計算，對臺積電更爲不利。

IC設計業者指出，先進製程晶片面積愈來愈大，單片晶圓可切割晶粒數量下降；同時在異質整合趨勢下，一顆晶片可由不同製程晶粒組成，細分標準將更復雜。例如輝達GB200 NVL72與VR200 NVL144，其實都是144個GPU晶粒，僅差在封裝方式。

隨關稅議題再度浮上臺面，關稅與產能談判同步升溫，市場憂慮美方「一刀切」措施將重傷本土晶片大廠。IC設計業者認爲，最終壓力勢必集中在臺積電身上，要求其加碼美國產能，談判也將進入深水區。