西安奕斯偉取得一項單晶爐及單晶硅製備方法專利
金融界2024年11月8日消息,國家知識產權局信息顯示,西安奕斯偉材料科技股份有限公司和西安奕斯偉硅片技術有限公司取得一項名爲“一種單晶爐及單晶硅的製備方法”的專利,授權公告號 CN 113638037 B,申請日期爲2020年5月。
本文源自:金融界
作者:情報員
相關資訊
- ▣ 西安奕斯偉申請氧含量可控的單晶硅和硅晶圓等專利,有效控制氧元素在單晶硅中的分佈
- ▣ 臻晶半導體取得用於液相法生長單爐多組碳化硅晶體裝置及方法專利
- ▣ 中電晶華取得一種TMBS用硅外延片的製備方法專利
- ▣ 浙江兆晶取得籽晶棒夾持裝置和單晶爐專利,提高晶體制備效率
- ▣ 利爾取得一種鎂鐵尖晶石磚及其製備方法專利
- ▣ 奕斯偉計算取得顯示面板及薄膜晶體管監控方法相關專利
- ▣ 晶科儲能取得正極材料及其製備方法和應用專利
- ▣ 北京利爾取得一種水泥窯用鎂鐵尖晶石磚及其製備方法專利
- ▣ 盛世智能取得一種取料單元及固晶機專利
- ▣ 石嘴山市寶馬興慶取得利用太陽能電池切割晶體硅廢料製備高純硅的方法專利
- ▣ 西安奕斯偉申請晶圓表面缺陷檢測專利,該檢測方法可確定晶圓表面缺陷位置
- ▣ 蘇州鎵港取得硅基熱光伏電池及其製備方法專利
- ▣ 合肥晶合取得半導體器件及其製作方法專利
- ▣ 愛旭申請單晶硅臨界生長速度確定方法專利,單晶硅臨界生長速度確定方法更準確且省人力時間
- ▣ 寧夏盾源聚芯申請拉制柱狀多晶硅棒的籽晶及其籽晶頭的加工方法專利,提高多晶硅棒拉制合格率
- ▣ 武漢新芯取得在半導體晶片上製備鎢的方法專利
- ▣ 隆基綠能取得一種碳碳複合材料預製體專利,滿足直拉單晶硅技術需求
- ▣ 浙江衆晶電子取得單晶硅片拋光的廢料清刮器專利,方便對拋光平臺進行清理
- ▣ 京東方取得薄膜晶體管及其製造方法和顯示裝置專利
- ▣ 山東安舜製藥取得一種哌拉西林酸的製備方法專利
- ▣ 音特電子取得納米晶材料的HDMI共模抑制器製備方法專利
- ▣ 合肥晶合集成電路取得一種半導體結構及其製作方法專利
- ▣ 高景太陽能申請用於單晶爐複合材料堝幫製備方法及堝幫專利,可提高抗氧化性能
- ▣ 淮安捷泰取得太陽能電池及其製備方法專利
- ▣ 晶盛光子取得爐門裝置及擴散爐設備專利,提高擴散爐設備的可靠性
- ▣ 武漢天馬微電子取得薄膜晶體管基板及製造方法專利
- ▣ 上海積塔半導體申請溝槽型晶體管結構及其製備方法專利,工藝簡單
- ▣ 晶能光電取得白光 LED 芯片及其製備方法專利,解決 LED 芯片的出光問題
- ▣ 上海新微取得基於光子晶體的波導型鍺光電探測器及製備方法專利