五利多因素 南亞科總座李培瑛樂觀DRAM景氣下季回溫

南亞科總座李培瑛樂觀DRAM景氣下季回溫 ，公司也將衝刺客製化AI用記憶體避陸廠壓力。記者簡永祥／攝影

南亞科（2408）今日董事會通過今年資本支出以不超過196億爲上限，持續林口新廠及10奈米的1B製程推進。南亞科總經理李培瑛在新春媒體茶敘提出五大利多，樂觀看待DRAM產業下季回溫。公司練兵多年投入客製化DRAM的佈局，也做好準備，計劃採用最新1B製程於明年底前完成產品驗證並推出搶市。

李培瑛表示，此時比他春節前法說會所持的看法更趨樂觀。主因包括中國等區域刺激方案，已帶動DRAM需求、主要大廠也傳出停產DDR4及DDR3 DRAM的規畫、大陸記憶體廠現階段仍專注手機用的低功耗DDR4產品、主要DRAM大廠仍傾注大部分資源擴增HBM產能及市場DRAM庫存逐步回覆健康。

李培瑛維持先前預估DRAM產業景氣下季觸底回溫的基調，並比先前較爲樂觀些。但他坦承中國大陸持續擴增DRAM產能，確實帶給各廠競爭壓力，三大廠規畫停產DDR4產品，也呼應這個壓力使之必須減產因應。

不過DeepSeek已激發邊緣AI快速崛起。李培瑛認爲南亞科不會與三大廠及陸廠正面對陣，必須透過差異化，開創新商機，才能扭轉虧損，並抓住AI從雲端到邊緣端快速發展的機會。

南亞科去年原訂資本支出260億元，後因市況不佳踩煞車降至161億元，看好今年景氣回溫，公司再度微幅上調至196億元，市場解讀公司已看到景氣回溫的正面訊息。

李培瑛表示，南亞科今年將會提升1B製程產品線佔比，預估2025年位元產出佔總產出超過30%；並拓展AI邊緣運算記憶體市場。今年上半年AI應用DRAM需求仍然勁，非AI領域也可因上述五大利多因素進一步改善，整體DRAM市場可望在上半年觸底。

李培瑛強調，公司今年目標單季轉盈，除大幅提升1B製程產品線佔比，今年位元產出佔總產出超過30%。也將並拓展AI邊緣運算記憶體市場。新制程上，新改版16Gb DDR5 6400目標於2025年上半年推出，新世代LPDDR4目標於2025年下半年推出，LPDDR5目標於2026年推出。

南亞科也將拓展AI邊緣運算記憶體市場，與下游封測夥伴福懋科(8131)共同建置3D矽穿孔製程(TSV)及多晶片堆疊封裝的製造能力。南亞科日前也投資普丁科技，並共同開發高附加價值、高效能、低功耗的客製化超高頻寬記憶體解決方案。南亞科亦與策略夥伴合作開發客製化產品，預計2026年底推出新產品。

李培瑛並提出具備跨高頻寬記憶體需備高密度產品、3D IC封裝、高頻寬記憶體設計及先進邏輯晶片等四大能力，目前南亞科已具備前三項要素，未來將結合邏輯元件合作伙伴，明年底推出高頻寬記憶體產品的AI解決方案，提升整體競爭實力。