社論－神山被整碗捧去？半導體根留臺灣敲警鐘

圖／劉朱鬆

臺積電董事長魏哲家3日在白宮與美國總統川普會面，宣佈未來將在美國追加投資1,000億美元，計劃新建三座晶圓廠、兩座先進封裝設施，及一間主要研發團隊中心。業界擔憂，臺積電未來還有第二波赴美投資計劃將啓動。

臺積電在美國的佈局（涵蓋先進製程與封裝）總規模突破1,650億美元，重點部門─研發中心移往美國，是否導致臺灣矽盾破防，引發外界震撼與議論。

研發中心作爲臺積電先進製程突破與技術創新的核心，赴美計劃無疑讓臺灣半導體產業的核心技術外移疑慮浮上臺面。面對美國對半導體產業的強大磁吸效應，臺灣政府應主動表明政策立場與因應措施，讓根留臺灣不淪爲口水政策。

臺灣半導體根留臺灣政策，是以臺積電爲核心，確保先進製程的研發與生產基地留在本地。首先，臺積電2奈米及1.4奈米以下製程仍以臺灣爲發展重心，2奈米晶圓廠已確定落腳新竹、臺中與高雄，預計2025年量產，下世代埃米級產品也在臺灣生產。

其次，臺灣也積極鞏固全球最大先進封裝中心的地位。先進封裝技術（如CoWoS、SoIC）是AI時代供應鏈的關鍵，政府與臺積電、日月光等企業合作，計劃將相關產能集中於臺灣，避免技術與產業鏈外移，確保AI核心供應鏈根留臺灣的決心。

然臺積電在美國擴張計劃卻讓相關政策顯得搖搖欲墜。目前，臺積電亞利桑那州Fab 21已陸續興建4奈米與3奈米兩座廠，第三座2奈米廠預計於今年中動工，2028年第三季力拚量產。臺積電拍板研發中心落地美國，意味着護國神山在美國佈局已不僅限於製造，甚至涵蓋技術研發的核心環節。這使得政府根留臺灣的政策框架面臨失效風險。

從科技戰角度觀察，美國推動晶片關稅與吸引臺積電擴大投資，其目的更着眼於國力而非單純經濟考量。川普政府透過政策壓力，意圖讓美國掌握全球晶片市場4成份額，並遏制中國半導體產業崛起。臺積電作爲先進製程的龍頭，儘管目前在3奈米與2奈米技術上遙遙領先，但未來發展並非毫無隱憂。

在中美兩強的夾擊下，美國試圖吸納其先進技術，中國則以中芯國際爲代表，逐步向5奈米制程邁進。若臺灣政府未能在未來五年建立穩固的半導體政策框架，臺積電及臺灣半導體供應鏈將面臨更大挑戰。

美國方面，英特爾的代工服務（IFS）A18製程預計於今年下半年量產，若成功扭轉頹勢，將對臺積電構成直接競爭；反之，川普政府可能再度祭出晶片關稅施壓臺積電。臺積電在美國的擴產佈局看似甜蜜，但其「美國製造」策略恐難長期維持優勢，甚至可能被美國國產化政策同化，進而削弱其全球競爭力。

中國方面，中芯國際主力產品仍停留在14奈米與7奈米制程，雖透過DUV（深紫外光）設備向5奈米技術推進，但尚未實現大規模商業化量產。然預估未來5～10年，中國半導體產業仍有機會拉進製程差距，對臺灣構成潛在威脅。

此外，由八家日本大企業共同投資設立生產次世代半導體的新公司Rapidus，採用下一代半導體技術環繞閘極 （GAA）的先進製程，預估4月試產，6月產出2奈米的晶片產品原型，也是一大勁敵。

過去，臺灣「根留臺灣」政策主要聚焦於防堵技術與人才流向中國，將美、日視爲科技同盟。當美國透過政策誘導，將臺積電工廠與技術逐步轉移至美國境內時，臺灣半導體產業的獨特性與競爭力將受到考驗。面對這一轉折，政府需重新審視政策方向，並回答一個關鍵問題：在技術與產能被「整碗捧去」後，還剩下什麼值得根留臺灣？