上海新微技術申請基於硅硅鍵合的壓力傳感器及其製備方法專利，製備工藝簡單、週期可控

金融界2025年8月18日消息，國家知識產權局信息顯示，上海新微技術研發中心有限公司申請一項名爲“一種基於硅硅鍵合的壓力傳感器及其製備方法”的專利，公開號CN120483034A，申請日期爲2025年05月。

專利摘要顯示，本發明提供一種基於硅硅鍵合的壓力傳感器及其製備方法，包括以下步驟：提供一低阻硅晶圓，在低阻硅晶圓的第一表面形成硅深孔，在硅深孔內沉積隔離材料，形成隔離環；刻蝕第一表面形成淺槽和導電硅柱，得到低阻蓋帽晶圓；提供一SOI晶圓，對SOI晶圓的第一表面進行離子注入形成電阻區，得到襯底晶圓；將低阻蓋帽晶圓與襯底晶圓進行鍵合；研磨低阻蓋帽晶圓的第二表面至露出隔離環；在低阻蓋帽晶圓第二表面沉積絕緣層，在絕緣層上形成金屬電極；在襯底晶圓第二表面形成背腔結構，露出SOI晶圓的頂層硅，形成敏感膜層。利用低阻硅製作導電硅柱，避免銅離子污染，製備工藝簡單、週期可控；基於硅硅鍵合工藝得到的器件具有高鍵合強度和高氣密性。

天眼查資料顯示，上海新微技術研發中心有限公司，成立於2013年，位於上海市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備製造業爲主的企業。企業註冊資本144416萬人民幣。通過天眼查大數據分析，上海新微技術研發中心有限公司共對外投資了21家企業，參與招投標項目480次，財產線索方面有商標信息52條，專利信息710條，此外企業還擁有行政許可44個。

本文源自：金融界

作者：情報員