上海聚躍檢測取得氮化鎵半導體芯片封裝調試參數檢測裝置及方法專利

金融界2025年6月3日消息，國家知識產權局信息顯示，上海聚躍檢測技術有限公司取得一項名爲“一種氮化鎵半導體芯片封裝調試參數檢測裝置及方法”的專利，授權公告號CN119716494B，申請日期爲2025年02月 。

本文源自：金融界

作者：情報員