三星拚了 傳擬擴大HBM產能、犧牲利潤搶市

據傳三星電子爲了搶奪高頻寬記憶體（HBM）市佔，不只準備擴大產能，還打算犧牲利潤，以求打入輝達（Nvidia）供應鏈。歐新社

三星電子決心爭取高頻寬記憶體（HBM）市佔，據傳不只平澤五廠準備恢復施工，以便擴大產能，還打算犧牲利潤，好打入輝達（Nvidia）供應鏈。

綜合韓媒BusinessKorea、the Bell、科技媒體wccftech報導，半導體業界人士透露，工人在三星的平澤五廠搬運建材、並接受安全訓練，準備最快下個月施工。該廠原訂去年啓動工程，但因半導體市況欠佳而延後。三星興建平澤五廠，意在擴大供給HBM。

三星打算先量產HBM3E給輝達，接着設法取得在新一代記憶體HBM4的優勢。

HBM3E是目前HBM市場的領導者，用於輝達Blackwell圖形處理器（GPU），三星可望在在本月通過輝達的HBM3E驗證。HBM4將用於輝達下代GPU「Rubin」。三星HBM研發速度，大約落後SK海力士三個月，三星想靠強化產能來快速追趕。

韓媒指出，三星增產搶市之外，還準備發動價格戰，給予輝達的HBM4報價，將讓競爭對手難以比擬；三星願意犧牲利潤，只爲打入輝達的供應夥伴名單。

文章稱，輝達預計在明年第1季完成HBM4驗證，並敲定HBM4供應商與下單數量。三星爲加快供給，擬導入10奈米級1c DRAM製程，據悉這是業界最先進的製程。並有消息說，三星擬用艾司摩爾（ASML）高數值孔徑極紫外光（high-NA EUV） 微影設備。

半導體人士指出，記憶體市場預料在明年逐漸復甦，HBM需求可望續增，外界解讀三星預先確保產能，以免錯失商機。