SK海力士利潤暴增，HBM 4將量產

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來源：內容編譯自WSJ。

SK海力士是英偉達(Nvidia)高帶寬內存產品的主要供應商，該公司公佈第二季度業績穩健，得益於人工智能芯片需求的強勁增長。

這家韓國內存芯片製造商週四表示，全球大型科技公司對人工智能(AI)的積極投資，帶動包括12層HBM3E產品在內的AI內存芯片需求穩步增長。該公司表示，DRAM和NAND閃存產品的出貨量均高於預期。

該公司表示，鑑於當前人工智能的蓬勃發展需要高性能芯片，預計HBM的旺盛需求將持續到2025年。

SK海力士表示，截至6月底的三個月，其淨利潤爲6.996萬億韓元，相當於50.9億美元，同比增長70%。根據FactSet彙編的一份市場普遍預期，這一數字低於分析師預期的7.087萬億韓元。

該公司營收增長35%，達到創紀錄的22.232萬億韓元。營業利潤飆升67%，達到創紀錄的9.213萬億韓元，超過了規模更大的競爭對手三星電子本季度4.6萬億韓元的預期。

受益於高端芯片市場的繁榮，SK海力士相對於其他HBM製造商佔據優勢。今年迄今，該股已上漲55%，跑贏韓國綜合股價指數(Kospi)今年迄今33%的漲幅。

SK海力士已成爲HBM領域的全球領導者，其客戶包括美國人工智能巨頭英偉達。根據Counterpoint Research的數據，今年第一季度，SK海力士在全球DRAM市場首次超越競爭對手三星電子。

Counterpoint Research 本月早些時候發佈的一份報告估計，SK 海力士第二季度的 DRAM 和 NAND 營收已追平三星的總和，兩者爭奪全球內存市場的頭把交椅。NAND 是一種常用於存儲設備的閃存。

三星和美國內存製造商美光科技都在尋求在HBM領域追趕SK海力士。然而，分析師預計SK海力士的主導地位短期內仍將持續。

Futurum Group 半導體、供應鏈和新興技術研究總監 Ray Wang 表示：“截至目前，我相信 SK 海力士在 HBM 競賽中仍然保持領先地位……儘管三星和美光公司正在努力追趕。”

他補充道：“我預計這一優勢將持續到 2025 年剩餘時間，並延伸至 2026 年。”

SK海力士也表示：“SK海力士在DRAM領域擴大了12英寸HBM3e的銷量，同時所有應用領域的NAND銷量均實現增長。憑藉在AI內存領域領先的競爭力和盈利至上的管理原則，公司一直保持着積極的盈利趨勢。”

該公司表示，由於客戶增加了內存採購量並提高了成品產量，其庫存水平在第二季度保持穩定。該公司預計，隨着客戶計劃在下半年推出新產品，內存需求將繼續增長。

該公司指出，計劃將HBM相關收益較上年翻一番，並根據客戶要求做好HBM4的供應準備。

該公司表示，計劃在2025年下半年量產新的尖端HBM4產品，這可能會擴大其對三星和美光科技的領先優勢。SK海力士去年首次爲英偉達量產12層HBM3E產品後，一度領先於競爭對手。

然而，在這家韓國芯片製造商股價飆升之後，一些分析師對其持謹慎態度。高盛上週警告稱，由於HBM產品價格可能下跌，SK海力士的盈利增長可能在2026年失去動力。

高盛將該股評級從“買入”下調至“中性”，理由是HBM市場競爭可能加劇，且明年供需狀況可能不容樂觀。

特朗普總統反覆無常的貿易政策也對SK海力士的前景構成威脅。如果韓國未能在8月1日前與特朗普政府達成貿易協議，韓國將面臨25%的所謂互惠關稅。

雙方貿易官員將於本週晚些時候在華盛頓恢復談判，首爾方面正尋求避免或降低美國的全面關稅。

這位美國領導人還威脅要對半導體徵收單獨的關稅，此外還將對汽車、鋼鐵和鋁進口徵收關稅。

與此同時，特朗普決定允許英偉達向中國出口其使用低端HBM產品的H20 AI芯片。此舉標誌着美國商務部政策的逆轉，該部門於4月份限制了該芯片向中國客戶的銷售。

NH Investment & Securities 高級分析師 Ryu Young-ho 表示，該公司修改資本支出以積極響應明年的客戶需求，“似乎反映了其信心”，因爲明年它將面臨來自三星電子的激烈競爭。

SK海力士在一份聲明中表示：“SK海力士預計，大型科技公司之間爲增強人工智能模型推理能力而展開的競爭將加劇，這將導致對高性能、大容量內存產品的需求增加。”

分析師表示，在人工智能需求強勁推動下，SK 海力士實現了一系列創紀錄的利潤，目前該公司正準備應對美國可能徵收的關稅以及在向英偉達供應先進芯片方面競爭對手日益激烈的競爭。

該公司的利潤是同城競爭對手三星電子預期季度營業利潤的兩倍，三星電子本月預計，由於人工智能芯片銷售疲軟，其第二季度營業利潤將暴跌 56%，低於預期。

*免責聲明：本文由作者原創。文章內容系作者個人觀點，半導體行業觀察轉載僅爲了傳達一種不同的觀點，不代表半導體行業觀察對該觀點贊同或支持，如果有任何異議，歡迎聯繫半導體行業觀察。

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