三星HBM3E熬18個月終獲輝達認證！ 攜手臺積電猛攻下一代市場

三星力拼在HBM賽道縮小與競爭企業的差距。（圖／路透社）

南韓科技巨擘三星電子在高頻寬記憶體（HBM）競爭賽道上落後於主要競爭對手SK海力士以及美光。但據韓媒報導，如今總算有好消息傳出！三星第5代12層高頻寬記憶體HBM3E產品終於通過輝達品質驗證測試。此一進展不僅象徵三星在HBM技術上的突破，也可能改寫其在高階記憶體市場的競爭格局。

據韓媒《Business Korea》與《韓國經濟日報》（The Korea Economic Daily）報導，三星從完成HBM3E 12層晶片的開發，歷經多次輝達性能測試失敗，到最終通過認證，整整耗時18個月，成爲繼SK海力士與美光（Micron）之後，第3家獲得認證的供應商。雖然預期初期供貨量有限，但此舉具有高度象徵意義，有助於消除外界對三星技術穩定性的質疑，尤其是針對散熱問題的爭議。

一位業內高層坦言，「對三星來說，供貨輝達與其說是爲了營收，不如說是爲了自尊。獲得輝達的認可意味着其技術重回正軌」。

目前，三星已穩定向超微（AMD）與博通（Broadcom）供應HBM3E 12層晶片，但在輝達品質測試方面曾面臨長期挑戰。此次通過測試，意味着三星有望在下一代HBM4競爭中與對手並駕齊驅。

報導中提及，真正的競爭戰場已經轉移到第6代高頻寬記憶體HBM4，並且預計將於明年在輝達的新一代圖形架構Vera Rubin中首次亮相。輝達已經要求供應商將HBM4的資料傳輸速度提升到每秒10 Gbps以上，遠遠高於目前業界標準的8 Gbps。知情人士透露，三星已經展示了11 Gbps的傳輸速度，領先於SK海力士的10 Gbps，而美光要達到輝達的要求，則顯得較爲困難。

隨着HBM逐漸取代通用型DRAM成爲記憶體產業的新焦點，三星、美光與SK海力士三強之間的競爭將日益激烈。若三星能在輝達供應鏈中取得實質市佔，將有助於推升整體業績表現。

三星計劃在本月向輝達提供大量的HBM4樣品，期望能夠儘早獲得驗證。今年4月，三星曾表示，正在與主要的AI晶片廠商，包括輝達、博通與Google，洽談供應客製化第6代記憶體HBM4的事宜。三星透露，最快可望於2026年上半年開始爲客戶量產HBM4晶片。

《韓國經濟日報》指出，爲了追趕SK海力士，三星去年與其代工競爭對手臺積電合作，共同開發HBM4。目前三星在HBM的競賽中，落後於SK海力士，後者是輝達HBM最先進晶片的主要供應商。