賽道Hyper | 低溫PSPI材料告急：國產公司有機會？

作者：周源/華爾街見聞

隨着全球半導體行業向先進封裝技術加速轉型，材料供應鏈的穩定性正面臨新考驗。

5月下旬，華爾街見聞從供應鏈權威渠道獲悉，臺積電（TSMC）在先進封裝領域的產能擴張計劃，直接引發了低溫光敏聚酰亞胺（PSPI）材料的全球供應緊張。

作爲該材料的主要供應商之一，日本旭化成因全力保障臺積電需求，不得不對中國封測企業實施限供，這一變化意外推升國產低溫PI材料的產業化速度。

近年來，臺積電在先進封裝領域的佈局堪稱激進。

臺積電當前封裝的核心技術——CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）：通過三維堆疊實現芯片性能躍升，已成爲英偉達H100/H200等AI芯片的關鍵封裝方案。

爲滿足市場需求，臺積電計劃提升CoWoS高達1倍的產能；在5下旬，臺積電的擴產需求影響到專業材料供應。

這一擴張不僅涉及中國臺灣本土，還包括在日本熊本建設新的封裝基地，預計將引入CoWoS技術生產線。

低溫PSPI材料在先進封裝中承擔着關鍵角色。

這種材料具有低介電常數、高耐熱性和光刻兼容性，被廣泛應用於硅中介層的層間絕緣、RDL（重新佈線層）製備以及TSV（硅通孔）填充等工藝。

日本旭化成長期是臺積電低溫PSPI材料的主要供應商之一。

該公司憑藉在電子材料領域的技術積累，其PSPI產品在耐熱性（Tg≥320℃）和分辨率（0.1μm級）等指標上處於行業頭部水平。

但隨着臺積電產能激增，旭化成的產能瓶頸逐漸顯現。

爲優先保障核心客戶需求，自2025年第二季度起，旭化成將無法再供應中國封測企業。這一限供措施直接衝擊了中國封測行業。

長電科技、通富微電等頭部企業在先進封裝領域的擴產計劃面臨材料斷供風險。華爾街見聞了解到，近期已有多家國內封測巨頭接到旭日成明確停止供應低溫PSPI材料的通知函。

“那怎麼辦？”華爾街見聞詢問供應鏈。多位人士表示，“只能加速驗證國產的，當然也包括其他公司的，多管齊下。”

國產供應商在此背景下迎來發展契機。

明士新材料在低溫PSPI研發中取得階段性成果，其自主研發的產品固化溫度≤250℃、分辨率達0.1μm、介電常數≤3.0（1MHz），性能指標接近國際頭部企業同類產品。

該公司的這種材料通過國內頭部封測廠的工藝驗證，已進入供應鏈體系，適配先進封裝領域的技術需求。在存儲芯片封裝場景中，這種材料特性可滿足HBM3存儲芯片堆疊與3D IC集成對絕緣層的精密要求。

但很奇怪，根據廣東省深圳市中級人民法院公開裁定文書，明士新材料於2024年7月因資不抵債被債權人申請破產重整，目前處於司法重整階段。

擁有高端封裝所需的材料，卻資不抵債導致破產重整，最大的可能是該公司的這種材料並未得到產業驗證。截至當前，明士新材料尚未披露重整後的技術團隊整合及生產恢復計劃。

國內還有家公司叫做艾森股份，是國內首家實現正性PSPI量產的企業，其產品分辨率達3μm，適用於傳統晶圓級封裝（WLP）及部分2.5D封裝底層結構。

但艾森股份提供的不是低溫PSPI材料，更適合中低端封裝場景，達不到高端場景應用要求。

國內企業的技術突破源於長期的研發積累和政策支持。

像鼎龍股份，依託在OLED顯示用PSPI領域的技術儲備，開發出適配半導體封裝的低溫固化配方，重點解決了邊緣光刻清晰度問題；另外強力新材，聚焦光刻膠配套材料，開發出低吸溼性PSPI前驅體，適配晶圓級封裝（WLP），並通過通富微電的測試驗證。

其中，強力新材還從旭日成挖了角，重點開發和旭日成對標的低溫PSPI材料。

這些進展表明，國產低溫PSPI正在從實驗室走向產業化應用。此次市場需求的意外爆發，爲國產材料提供了難得的窗口期。

隨着Chiplet技術的普及和3D封裝的深化，低溫PSPI的性能要求將進一步提升。

國內企業需在以下領域持續突破：一是降低固化溫度至200℃以下，以適配更多先進製程；二是提升耐溫性至350℃以上，滿足車規級芯片需求；三是開發無氟配方，解決環保和成本問題。

在這個過程中，產業鏈協同將成爲關鍵。

臺積電的擴產動作正在重塑全球半導體材料供應鏈格局。低溫PSPI領域的國產替代不僅是技術突破，更是產業鏈自主可控的關鍵一步。從目前的技術發展階段來看，國內有望在3-5年內實現低溫PSPI的規模化產業應用，爲先進封裝產業提供堅實支撐。