日月光推矽通孔創新封裝 應用功率可望降3倍

封測大廠日月光29宣佈，推出可降低3倍功耗，具備矽通孔的善出行封裝技術。（圖／報系資料照）

日月光半導體29日宣佈推出具備矽通孔（TSV）的扇出型基板上晶片橋接技術（FOCoS-Bridge），推動AI技術發展，並加速AI對全球生活的深遠影響。日月光指出，FOCoS-Bridge利用TSV提供更短的傳輸路徑，實現更高的I／O密度與更好的散熱效能，滿足日益增長的頻寬需求；TSV的整合擴展VIPac FOCoS-Bridge的技術能力，可在AI和高效能運算（HPC）應用需求空前高漲的時候提供關鍵的能源效率。

日月光表示，小晶片和高頻寬記憶體整合將需要更高的互連密度，以實現更高速的平行資料連接並保持訊號完整性，高密度互連是晶片整合的關鍵技術；隨着AI和HPC電力傳輸需求變得越來越複雜，迫切需要具備TSV的先進橋接晶片。VIPack FOCoS-Bridge 平臺可嵌入被動和主動晶片，用於提高電源完整性並提供直接存取以增進效能。

VIPack平臺的持續擴展反映了日月光的策略願景—爲可持續的高效能運算提供全面、可擴展的生態系統，滿足新興AI工作負載的急遽需求；TSV的FOCoS-Bridge可以透過用於高功率和高頻寬系統的異質整合，來滿足下一代AI和HPC效能需求。目前已經實現由兩個相同的扇出模組組成的85mm x 85mm測試載具（Test Vehicle）—每個模組以四個TSV橋接晶片以及10個整合式被動元件晶片，橫向互連一個ASIC晶片和四個HBM3晶片。

結合傳統的橫向訊號連接，TSV橋接晶片爲電力傳輸提供更短的垂直路徑。 TSV 和被動元件皆嵌入在重佈線層(RDL)，並以 5µm 線寬／線距的三層RDL互連。與FOCoS-Bridge相比，FOCoS-Bridge TSV的電阻和電感分別大幅降低了72％和50％。

日月光工程和技術推廣處長 Charles Lee表示，日月光長期處於封裝產業前沿，是高功率 AI 和HPC應用的先進封裝領導廠商。我們的優勢在於我們有能力提供創新技術，滿足快速發展的市場中客戶不斷變化的需求。