搶先臺積電有用？傳三星將在美國推出2奈米 外媒質疑1事

三星一直想超越臺積電，但良率向來不佳。（示意圖／shutterstock達志影像)

臺積電和三星在晶圓代工領域競爭激烈，兩家大廠相繼赴美國設廠，根據ZDNet Korea報導，三星可能比臺積電更早在美國推出2奈米制程，預計時間點在明年第一季，以增強在美國晶片市場的影響力。

報導指出，三星計劃將在美國推出首個「國產」2奈米制程，以加強競爭力，據悉公司已開始爲在泰勒工廠的生產線做準備。雖然目前美國2奈米制程生產尚處在規劃階段，但考量大型科技公司對從美國採購晶片展現濃厚興趣，三星對此持樂觀態度。

三星美國廠野心勃勃，根據瞭解，三星可能最快在明年1月或2月，啓動2奈米制程的量產，該公司目前正把研發資源轉向泰勒工廠。雖然三星在美國的業務不如臺積電成功，但卻下定決心取得突破，但報導也質疑，未來泰勒工廠能否達到晶片生產階段仍存在不確定性。

三星一開始計劃在美國生產4奈米制程，在獲得拜登政府《晶片法案》(CHIPS Act) 的資助後，三星加大投入資金，卻始終未能實現量產。三星爲了轉移市場對臺積電亞利桑那工廠的注意力，想率先在美國推出「性能強大」的2奈米制程。

三星晶圓代工部門下半年將推出最新技術SF2，採用第三代GAA製程，與SF3相比，SF2性能提高12%、能效提高25%，晶片面積微縮5%。傳出三星SF2已進入試產，良率能達到40%，高過原本的預期，但三星能否實現足以進行量產的高良率，仍有待觀察。

三星先前搶先其他競爭對手，率先量產環繞閘極技術(GAA)的3奈米制程，但良率卻不佳，外界認爲宣傳效果大於實際，三星想超越臺積電並非易事。