臺積電3奈米FinFET 三星2奈米恐難敵

臺積電3奈米家族

市場近期盛傳三星將押注資源發展2奈米，預計最快明年於美國德州廠率先導入2奈米制程，企圖彎道超車臺積電。半導體業界透露，三星目前以GAAFET打造之3奈米，約爲目前競爭對手4奈米FinFET水準，研判2奈米效能恐怕不如臺積電最後也是最強一代之3奈米FinFET。尤其臺積電再針對3奈米發展更多家族成員，包括N3X、N3C、N3A等應用，未來仍會是主流客戶之首選。

盤點目前智慧型手機旗艦晶片，皆使用臺積電第二代3奈米（N3E），僅有三星Exynos 2500爲自家3奈米GAAFET；各家業者今年預計迭代進入第三代3奈米（N3P），據供應鏈透露，臺積電去年底N3P已進入量產階段，估今年整體產能將成長超過6成。

供應鏈表示，包括再生晶圓、鑽石碟、特用化學品用量顯著提升，相關供應鏈如昇陽半、中砂、頌勝科技；其中，頌勝科技爲少數半導體CMP製程研磨墊供應商，與國際大廠直接競爭。

三星積極追趕，2奈米制程預計最快將於今年底量產，並計劃明年首季率先在美國德州Taylor廠導入2奈米；看似彎道超車臺積電2奈米落地美國時間，不過半導體業者指出，臺積電嚴守最先進製程於臺灣發展，未來在海外廠會以臺灣母廠（Mother Fab）爲目標。

IC設計業者透露，在整體晶片表現上，臺積電製程仍能達到更佳效果，如同樣以Arm Cortex-X925超大核心設計之天璣9400，頻率可達3.62GHz，優於Exynos 2500 3.3GHz之表現，在發表時間也領先約3季，三星代工明顯已無法滿足國際晶片大廠最先進之需求。

供應鏈透露，爲滿足客戶美國製造需求，臺積電亞利桑那州二廠進入加速階段，預計明年第三季進行機臺Move-in，未來也將攜手臺灣供應鏈大打國際杯，推動整體產業升級。