追趕臺積電2奈米！　韓媒：三星良率已升至30%

▲圖爲三星電子總部展示的半導體晶圓。（圖／達志影像）

記者陳瑩欣／臺北報導

《朝鮮日報》以「三星與臺積電力保2奈米良率」爲題，指今年底前量產2奈米將是黃金時間，報導指出，與3奈米晶片良率遙遙落後臺積電相較，三星2奈米良率已達30%，表現相對順利，不過量產時程可能會延後至明年，較臺積電2奈米年底量產要晚。

韓媒表示，三星雖然原定2奈米量產目標爲今年底，但因良率情況，量產期程確定延後。而臺積電則因爲2奈米良率優於預期，今年底前月產能從原先估計的5萬片拉昇至8萬片，最終目標上看10萬片。

《WCCFtech》指出，業界認爲，若要因應市場需求量產晶片，「70%以上的良率是必須的」而臺積電現階段良率來到60%，目前至年底還有10個月，臺積電有充足的時間將2奈米良率拉至70%，且公司已開始擴大2奈米生產線。

外媒推估，臺積電將2奈米制程晶圓的單價定爲3萬美元，這是4奈米和5奈米晶圓價格的2倍。

三星電子代工業務部在過去數年中承認了3奈米全環繞柵極 (GAA) 製程的失誤，並計劃從2奈米開始扭轉局面。

韓媒指出，三星電子的2奈米良率目前在20%至30%之間，但與3奈米制程相比，速度更快。距離量產還有約10個月的時間，如果在這段時間內穩定量產製程，則有機會在與臺積電相同的時間內獲得大量量產訂單，另外，三星4奈米制程晶片良率提升到80%，當地媒體解讀爲「一個積極的信號」。