美限制陸製晶片 衝擊供應鏈

美國據傳準備對臺積電、三星、SK海力士等三大跨國大型半導體制造商位於中國大陸的晶片工廠祭出生產限制，撤銷其取得美國技術時享有的豁免。路透

美國據傳準備對臺積電（2330）、三星、SK海力士等三大跨國大型半導體制造商位於中國大陸的晶片工廠祭出生產限制，撤銷其取得美國技術時享有的豁免。投顧業者指出，此舉將迫使這些企業改採逐案申請制度，可能嚴重影響全球晶片供應鏈。

臺積電ADR受此消息衝擊，20日收盤大跌1.8%。

臺新投顧副總經理黃文清分析，美國政策對三大半導體巨擘造成不均衡影響，當中以SK海力士衝擊最重，其次爲三星，而臺積電僅有少量非先進製程在中國生產，影響性較低。

圖／經濟日報提供

美國媒體報導，美國商務部主管管制的副部長Jeffrey Kessler本週告知臺積電、三星、SK海力士等三家全球半導體領導廠商，美國打算撤銷盟友半導體廠在中國大陸使用美國技術所依賴的豁免，最快可能在未來幾個月內實施。

現行的狀況是，臺積電與三星、SK海力士等三家公司目前享有的全面豁免，使其無需逐案申請，即可將美國的晶片製造設備運往其在中國的工廠。專家預測，若美國加大限制，審批時間將從目前的自動豁免延長至每次申請需三至六個月的審查期。

臺新投顧研究，三星對中國大陸廠區的依賴度極高，在大陸擁有高比例產能，西安廠爲其唯一海外記憶體生產基地，佔三星NAND快閃記憶體總產量的40%、佔全球NAND供應10%，但面臨美國對超過128層技術的出口管制，一旦豁免權被取消，將直接扼殺這些廠區的技術迭代能力，使其在全球競爭中迅速落後。

SK海力士更慘，在大陸業務規模可觀，無錫廠約佔其DRAM總產量約40%，相當於全球DRAM產能約10%，另位於大連的NAND快閃記憶體廠，約生產SK海力士NAND總產量約20%。美國的新政策使陸廠面臨無法進口EUV微影機，升級計劃受阻的困境。

臺積電在大陸經營兩座晶圓廠，南京廠爲12吋晶圓廠，使用16奈米制程技術，上海另有一座8吋晶圓廠，生產130奈米和180奈米等製程。因臺積電在大陸專注成熟製程，有效避開美國出口管制限制。

業界人士認爲，由於臺積電大陸生產基地貢獻營收佔比小，且短期內如沒有升級、擴產計劃，美國取消豁免權的影響較小，但後續仍需持續觀察。