陸晶圓代工技術突破 中芯5奈米良率飆上70％ 真相大反轉

大陸晶片業面臨美國強力制裁，無法取得生產先進製程所需的EUV機臺，僅能透過不斷改良的DUV機臺提升製程能力。（圖／shutterstock達志）

大陸晶片業面臨美國強力制裁，無法取得生產先進製程所需的EUV機臺，僅能透過不斷改良的DUV機臺提升製程能力。近期微博上瘋傳中芯5奈米的良率已經衝到60%至70%之間，暗示大陸晶圓代工技術進入新階段，然此消息未能取信所有專家，知名爆料者也提出不同看法。

外媒wccftech報導，微博知名爆料者Fixed Focus Digital提到中芯5奈米已經達到70%的良率，甚至誇口良率水準與三星3奈米接近，三星3奈米爲業界首款使用GAA技術的晶片，臺積電是在2奈米纔開始使用GAA技術。

此說法引發市場高度關注，社羣平臺X上的知名爆料者@Jukanlosreve引述大陸消息人士的說法，直指Fixed Focus Digital的消息是捏造的。除此之外，目前市面上並未看到實際使用中芯5奈米的產品，最新麒麟X90晶片是採用7奈米制程，在商用技術至少70%良率的推測下，中芯5奈米很難達到該水準。

全球關注大陸晶片業推進技術的能力，傳出大陸正在測試自行研發的EUV機臺，預計今年第三季開始試產，實際應用狀況受到市場高度關注，若效果不錯，目前全球最大半導體制造設備廠商ASML將面臨挑戰。

如果大陸完成自行生產EUV機臺，代表半導體產業突破技術瓶頸，有機會持續推進先進製程技術，甚至挑戰英特爾、三星或臺積電。目前中芯使用DUV機臺研發技術，雖成功觸及5奈米，但傳出成本比臺積電高出至少50%。