陸半導體製造自主 中芯傳今年完成5奈米但成本比臺積電高50%

外媒指出，中芯國際將在今年完成 5 奈米晶片開發，但由於缺乏先進的極紫外光 （EUV）微影設備，將採用較舊的深紫外光 （DUV）微影設備達成目標，成本可能比臺積電版本高出50%、良率僅33%。（本報系資料庫）

在美國製裁下，爲了實現大陸半導體制造自主，外媒指出，中芯國際將在今年完成 5 奈米晶片開發，但由於缺乏先進的極紫外光 （EUV）微影設備，將採用較舊的深紫外光 （DUV）微影設備達成目標，成本可能比臺積電高出50%且良率僅33%。

科技媒體「Wccftech」報導，一份由爆料者@Jukanlosreve發現、Kiwoom Securities發佈的報告顯示，中芯預計於2025年完成5奈米晶片技術開發。

與臺積電相比，中芯的良率僅約臺積電的33%，且晶圓成本高出50%。這是由於DUV技術需要採用多重曝光技術來達成更高階製程，導致生產步驟增加、製造時間拉長，同時也提高了不良品的比例。

報告進一步透露，華爲下一代旗艦機Mate 70預計將搭載麒麟9020晶片，仍採用7奈米制程。然而，中芯的5奈米技術未來可能應用於華爲升騰910C AI晶片，以減少大陸對輝達的依賴。

此外，報導指出，中芯若欲突破5奈米瓶頸，關鍵在於大陸能否成功開發EUV設備。外傳大陸首批國產EUV機臺將於2025年第3季進入試生產階段。而與華爲關係密切的大陸半導體設備商新凱來（SiCarrier）也正在研發替代ASML的EUV技術，若能成功，將大幅提升大陸在先進製程的自主能力。

目前尚無法確定中芯何時能穩定量產5奈米晶片，但大陸正在積極推動本土EUV設備的研發，若這些設備能順利投入使用，中芯將挑戰更先進的製程技術。