力積電法說會／第3季記憶體動能轉強 本季量價齊揚、11月起反映

力積電。 聯合報系資料照

晶圓代工廠力積電（6770）21日法說會釋出三訊號：第3季營運回溫、虧損收斂；記憶體市況轉強、第4季「量價齊揚」並自11月起陸續反映；先進封裝方面 Interposer 良率達量產水準、WoW 明年下半年量產可期，記憶體滿載、邏輯相對偏弱。

力積電第3季合併營收達118.4億元，季增5%、年增1.6%，受記憶體產品出貨放大帶動；毛利率爲-6.5%，較第2季的-9%小幅收斂，營益率爲-22.7%，稅後虧損 27.28 億元，較第2季的-33.3億元以及去年同期的28.8億元收斂，主因跌價損失回沖與匯損減少；每股稅後虧損也從第2季的-0.8元收斂至0.65 元。

總經理朱憲國表示，HBM擠壓效應推升利基型DRAM價格續漲，SLC NAND在大廠減產下谷底翻揚，NOR受AIoT需求帶動走升；整體記憶體客戶投片意願升溫，預期本季投片與價格同步上行，漲價效益將自11月起逐步顯現，動能有望延續至明年上半年。整體產能利用率估與第3季持平，記憶體維持滿載、邏輯相對保守。

先進封裝佈局上，第3季「3D AI Foundry」相關產品約佔營收2%。Interposer已有多案完成設計定案、試產良率達量產水準，將擴大投片承接AI高頻寬、高密度封裝需求；WoW已與多家客戶進入PoC驗證，預計明年下半年具備量產條件。

邏輯代工端因十一假期後消費電子需求偏弱、雙11備貨降溫，歐美終端亦受關稅不確定與消費信心走低影響，年終旺季承壓。公司並持續強化PMIC與功率元件（MOS、IGBT、GaN）佈局；與Navitas合作持續推進，部分6吋GaN訂單已轉入。

公司提醒外部變數仍待觀察，包括美方對半導體關稅時點與細節、地緣政策帶來的轉單效應，以及AI記憶體可能出現的新一輪缺貨風險；同時看好除HBM外，採3D NAND技術、具成本優勢的 HBF（High Bandwidth Flash）在TB級AI伺服器的潛力。