機構：2027年底DRAM預計將邁入個位數納米技術節點

2月18日，TechInsights最新報告指出，2025年第一季度，市場上將首次推出D1c的一小部分產品，首先由SK海力士推出。D1c世代將在2026年和2027年佔據主導地位，包括HBM4 DRAM應用。未來AI和數據中心將需要更高的單個裸晶的內存容量，例如32Gb、48Gb或64Gb芯片，但目前市場上主流仍是16Gb裸晶。在更高密度的DRAM芯片中，應開發3D DRAM架構，如4F2垂直溝道晶體管 (VCT) 單元、IGZO DRAM單元或3D堆疊DRAM單元，並在10納米以下級別節點（個位數節點）實現產品化，尤其是三星、SK海力士和美光等主要廠商，作爲下一代DRAM縮放的候選方案。D1a和D1b是市場上的主流產品。到2027年底，該機構預計DRAM將邁入個位數納米技術節點，如D0a，隨後將是0b和0c世代。