IVR＋矽電容掀革命 愛普搶電力先機

輝達正大力推動從電網端就開始變革的「800伏特高壓直流電（HVDC）」架構，用特高壓來減少能源損耗。圖／美聯社

輝達積極推動AI伺服器革命，創新電力架構；供應鏈預估，輝達2027年將導入最新800V HVDC（高壓直流）技術。IC設計業者分析，未來高電壓進到晶片端後，也需要快速調節電壓；臺積電已備妥IVR技術，將電壓調節器整合進封裝的矽中介層，搭配矽電容調節晶片內電流。相關業者透露，愛普*（6531）的S-SiCap使用先進的堆疊式電容技術開發，已獲得客戶驗證通過。

算力源自於充足電力，輝達執行長黃仁勳已用腳投票、表達立場。相關業者指出，輝達正大力推動從電網端就開始變革的「800伏特高壓直流電（HVDC）」架構，用特高壓來減少能源損耗，但進到晶片的最後一哩路，就需要臺積電技術支援。

業者分析，傳統伺服器設計，電壓調節器安裝在主機板，電要經過一段路徑才能送達晶片，過程難免產生大量能量損耗與廢熱。

IVR技術，是直接將電壓調節器整合進封裝的矽中介層，縮短電源傳輸路徑、降低熱功耗，並達到精準供電的需求。

「IVR處裡供電，矽電容確保訊號完整性」，業者指出，IVR需要矽電容配合，前者以精準調控電壓，矽電容作爲消除高頻噪音、能降低輸出電壓產生的漣波，互相搭配解決千安培電流的路徑耗損與電壓下降之難題。

相較MLCC，矽電容製程精度提升，採用奈米級製程技術。電源系統壓縮至晶片級尺寸，拉高門檻。IC設計業者指出，IVR、矽電容都要與晶圓代工業者緊密合作。

目前臺廠愛普進度最快，其中矽電容Interposer（矽中介層）已進入量產，今年有望顯著貢獻。供應鏈粗估，未來每片基板須搭載超過100顆的矽電容。

業者指出，輝達從800V HVDC架構引領伺服器系統改革，生態系將大幅改變；臺廠多有機會切入，目前已臺達電爲首，攜手更多業者積極投入。