和艦芯片申請基於光阻剝離提升高壓PMOS性能專利，有效改善高壓PMOS無法被完全耗盡的問題

金融界2025年2月13日消息，國家知識產權局信息顯示，和艦芯片製造（蘇州）股份有限公司申請一項名爲“一種基於光阻剝離提升高壓PMOS性能的方法”的專利，公開號CN 119400688 A，申請日期爲2023年7月。

專利摘要顯示，本發明公開了一種光阻剝離提升高壓PMOS性能的方法，包括：提供半導體襯底，在半導體襯底上形成有源區和隔離區以形成基底，在基底表面旋塗光刻膠；在光刻膠的第一區域內進行曝光顯影以形成第一入口；通過第一入口向基底的有源區進行第一次離子注入；沿第一區域的徑向向外延伸劃定第二區域，在第二區域內對光刻膠進行刻蝕以形成第二入口；通過第二入口向基底的有源區分別進行第二次離子注入和第三次離子注入；去除基底表面剩餘的光刻膠。本發明的方法通過在離子注入過程中對光刻膠進行多次剝離，以在不改變注入濃度的前提下調整離子注入的分佈，有效改善高壓PMOS無法被完全耗盡的問題，兼容了低壓和高壓PMOS的性能。

天眼查資料顯示，和艦芯片製造（蘇州）股份有限公司，成立於2001年，位於蘇州市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備製造業爲主的企業。企業註冊資本314524.57萬人民幣。通過天眼查大數據分析，和艦芯片製造（蘇州）股份有限公司共對外投資了1家企業，參與招投標項目22次，知識產權方面有商標信息18條，專利信息394條，此外企業還擁有行政許可26個。

本文源自：金融界

作者：情報員