HBM需求爆衝擊產業　聯發科恐成首波受害者、LPDDR5X交期飆至39周

▲聯發科。（圖／資料照）

記者高兆麟／臺北報導

全球AI浪潮推升高頻寬記憶體（HBM）需求，正持續在半導體產業鏈掀起「外溢效應」。根據外媒《wccftech》報導，這股HBM熱潮正導致晶圓代工產能吃緊，不僅擠壓智慧手機用SoC常見的DRAM產能（如DDR5、LPDDR5X），也讓交期大幅延長，聯發科（2454）可能成爲首批受波及的大型SoC設計公司。

報導指出，目前LPDDR5X的交貨週期已從原先的短期拉長至26至39周，代表現在下單最快也要等到2026年年中才能出貨。

HBM的高需求正從兩個層面衝擊智慧型手機晶片供應：一是擠壓DDR5產能，導致交期明顯延長；二是HBM晶片本身晶粒面積比一般DRAM大出35%至45%，進一步壓縮可用晶圓投片空間，使整體產能更緊俏。

業界分析，這對聯發科財報將產生實質壓力。特別是該公司正準備導入臺積電2奈米制程，而根據市場傳出訊息，每片2奈米晶圓報價高達3萬美元，成本負擔相當沉重。預估2025年第四季起，聯發科毛利率將面臨明顯下滑，若原物料與代工成本持續攀升，調漲晶片售價恐成唯一選項。

相較之下，高通（Qualcomm）產品原本定價較高，具備吸收部分成本壓力的空間，因此受衝擊程度預期較小。

報導也指出，聯發科與高通目前短期內不太可能轉向三星晶圓代工（Samsung Foundry），因爲雙方2026年產品的設計已完成定版（tape-out）。因此，三星的2奈米GAA製程預料要到2027年纔會迎來顯著的新訂單。

值得注意的是，記憶體價格上漲已開始影響智慧手機品牌端。日前，小米總裁就曾公開提及，記憶體成本攀升是Redmi K90系列價格調漲的主因之一，顯示AI應用帶來的成本壓力正逐步滲透至終端市場。