HBM 擴產擠壓 DDR4產能 三星、海力士退出後臺廠迎逆勢契機

三星與SK海力士兩大記憶體巨頭將產能重兵部署於高頻寬記憶體（HBM）產品線。路透

全球記憶體市場正進入結構性重整階段，隨着AI浪潮席捲資料中心與高效能運算（HPC）領域，三星與SK海力士兩大記憶體巨頭將產能重兵部署於高頻寬記憶體（HBM）產品線，因此對DDR4產能有明顯擠壓效應。

中階市場出現缺口 驚現歷史性報價倒掛

在兩大廠相繼宣佈退出DDR4產品線後，釋出龐大中階市場缺口，讓臺灣記憶體廠商南亞科技（2408）與華邦電（2344）得以順勢填補，營運動能明顯加溫。