反攻臺積電！英特爾新一代光刻機投產，一季造出3萬片晶圓

2月25日消息，英特爾於美國時間週一表示，首批來自ASML的兩臺高端光刻機已在工廠投入生產。初步數據顯示，這些新機器的可靠性優於早期的型號。

在加利福尼亞州聖何塞舉行的一場會議上，英特爾高級首席工程師史蒂夫·卡森（Steve Carson）表示，英特爾已經使用ASML高數值孔徑（NA）光刻機在一個季度內生產了30000片晶圓，每塊大尺寸硅圓盤可產出數千枚計算芯片。

去年，英特爾成爲全球首家接收ASML新型光刻機的芯片製造商。相比於ASML上一代光刻機，這些新設備預計能生產出體積更小且處理速度更快的計算芯片。這一舉措標誌着英特爾戰略的轉變，因爲此前公司在採用上一代極紫外（EUV）光刻機時落後於競爭對手。

英特爾花了七年時間纔將上一代EUV設備投入全面生產，公司也因此失去了對臺積電的領先地位。英特爾在投產初期長期受困於上一代EUV設備的可靠性問題。

然而卡森表示，ASML新型高數值孔徑設備在初期測試中的可靠性大約是上一代機型的兩倍。

卡森說，“我們能夠以穩定的速度生產晶圓，這對整個平臺來說也是一個巨大利好。”

ASML新型光刻機利用光束在硅片上繪製圖案。與上一代設備相比，新型設備僅需更少曝光次數即可完成同等工作量，從而節省時間和成本。

卡森表示，英特爾工廠的初步結果表明，高數值孔徑光刻機只需一次曝光和不足10道加工步驟就能完成早期設備需要三次曝光和大約40個加工步驟才能完成的工作。

英特爾表示，計劃利用高數值孔徑光刻機來開發所謂的18A製造技術。這一計劃預計將於今年晚些時候用於新一代PC芯片的量產。

英特爾還表示，計劃在下一代14A製造技術中全面使用高數值孔徑光刻機，但量產日期尚未公佈。（辰辰）