中國曝光機研發落後！網憂「核心被美掌握」：臺灣只能任川普擺佈

臺灣產業受美國影響深刻，包括股市也是如此。臺股示意圖。聯合報系資料照

高盛批評中國曝光機研發停留在65奈米，落後世界大廠20年，引發PTT熱議，有網友總結外媒報導要點，指曝光機（EUV/高數值孔徑EUV）攸關高階製程，中國受美歐零組件與出口管制牽制；他直言「最先進核心技術仍在美國手上」，臺灣以半導體爲命脈，恐只能與美國站同一陣線承受地緣政治壓力，並預期「若中國曝光機無重大突破，臺積電10年內恐怕沒有對手」。

根據媒體報導，高盛最新研究稱，中國在曝光技術研發上至少落後國際同業20年，DUV/EUV供應受制於ASML與美系零組件，使中國高階製程難以突破；臺積電已量產3奈米並備戰2奈米，中國自制機臺仍停留在約65奈米等級；ASML走到次世代曝光能力，歷時近二十年且投入約400億美元。這些差距被視爲中國高階晶片自給的關鍵瓶頸。

一名網友轉貼新聞至PTT，他的觀點聚焦兩點：一是「核心在美」導致中國短期追趕難度極高；二是地緣政治下臺灣現實選邊，雖多有顧慮，卻難擺脫供應鏈與安全聯動，進而強化臺積電的相對優勢。他以此推演「十年內臺積電難逢正面對手」的市場結構。

留言區出現三派聲量。其一是「現實派」：認爲曝光機是全球頂尖系統工程，既依賴美歐供應鏈又高技術門檻，落後幅度並不意外，「就算能做出DUV，量產良率、關鍵零件與生態也不是一朝一夕」。其二是「質疑派」：有人不信「落後20年」的絕對數字，質疑高盛動機與預設，或反指「說法與過往新聞矛盾」。其三是「嘲諷派」：以「手刻7奈米」「遙遙領先」「左手摸右手」等梗圖與反諷，質疑中方對外宣稱與實際量產差距，並追問「沒EUV如何長期維持先進製程」。

延伸討論則回到投資面與政策面：一派提醒「不要只看年化標籤或政治口號，要看可用機臺、產能、良率與總報酬」，也有人點名美國持續擴圍的管制清單、ASML對華出貨限制、臺灣供應鏈的安全溢價，認爲產業面「強者恆強」仍將延續；另有少數聲音主張「技術追趕非線性，若中國加碼人才挖角與自主供應鏈，時間差未必等於20年」，但即便如此，短中期仍難撼動臺積電與臺灣供應鏈在先進製程的主導地位。

※免責聲明：本文僅爲個人觀點與紀錄，而非建議。投資人申購前需自行評估風險，詳閱公開說明書，自負盈虧。