中國科學家首創“蒸籠”方法“長出”高性能晶體管新材料

財聯社7月18日電，集成電路是現代信息技術的核心基礎。近年來，隨着硅基芯片性能逐步逼近物理極限，開發新型高性能、低能耗半導體材料，成爲全球科技研發熱點。其中，二維層狀半導體材料硒化銦因遷移率高、熱速度快等優良性能，被視爲有望打破硅基物理限制的新材料。由北京大學、中國人民大學科研人員組成的研究團隊歷經四年攻關，首創一種“蒸籠”新方法，首次在國際上成功實現高質量硒化銦材料的晶圓級集成製造，並研製出核心性能超越3納米硅基芯片的晶體管器件。該成果18日在線發表於《科學》雜誌。