永泉晶圓12吋SiC單晶晶錠量產領先全球　改寫高導熱材料產業格局

以「重塑全球半導體材料版圖」爲使命的永泉晶圓，自2018年成立以來全力投入SiC長晶技術、極限坩鍋熱場設計、革命性長晶爐開發與先進粉料製造。憑藉對技術極限的持續突破，2024年在桃園中壢建置先進生產基地，迅速躍升爲全球高功率半導體材料領域的關鍵力量。短短2年內即成功量產6吋與8吋SiC單晶晶錠，良率穩定超過85%，晶錠厚度達25–35mm，技術指標全面領先同業，成爲產業最具競爭力的SiC材料供應商。

永泉晶圓自行研發設計自產的長晶爐，產出的12吋SiC晶錠及8吋SiC晶錠。永泉晶圓/提供

全球第一梯隊量產12吋SiC 進軍AI與高階散熱市場

今年4月永泉晶圓突破第三代半導體制程極限，成功研製出12吋SiC單晶晶錠，成爲全球(非中國大陸地區)第一家生產12吋 SiC的企業，更於9月達成穩定量產，正式躋身全球大尺寸SiC技術領導者之列。12吋產品已量產並出貨國際客戶，快速切入 AI伺服器與HPC所需的高導熱散熱材料供應鏈。

同年提出8項核心發明專利，涵蓋長晶技術、石墨坩鍋熱場與粉料製造，並以自主研發的12吋長晶設備完成材料至設備的完整垂直整合，技術門檻與研發速度大幅領先國際競爭者。

8年深耕打造全球少數的全尺寸SiC完整能力

永泉晶圓投入SiC技術逾8年，完整掌握粉末製造、籽晶技術、熱場設計、長晶爐研發以及晶錠等後段加工，是全球少數能從原料到晶錠、再到晶圓全面掌控的材料企業。

該公司發言人戈副總指出，永泉晶圓6吋與8吋產品已通過日本多家車用大廠測試並導入使用，應用於電動車逆變器、變壓器、OBC車載充電器與快充系統，並由日本代理商推向更多車用與消費性快充市場，顯示永泉晶圓產品已具備全球車規級實力。

永泉晶圓公司迎賓大廳。永泉晶圓/提供

12 吋 SiC 成爲 AI 時代關鍵散熱突破口

在AI伺服器功耗快速飆升的趨勢下，散熱能力成爲影響運算效率的關鍵。12吋SiC不僅可作爲晶片製程材料，其高導熱、高強度、高耐熱應力特性更使其成爲頂層散熱結構的最理想材料。永泉晶圓12吋SiC產品已被國際客戶導入高端IC散熱方案，被視爲下一世代資料中心與HPC系統不可或缺的核心材料。

攜手工研院　打造可全面取代高端ALN的新世代散熱基板

今年5月，永泉晶圓獲選經濟部產業升級創新平臺的創新優化計劃之「高散熱 SiC 單晶基板開發計劃」，並與工研院共同研發熱傳導係數超過350 W/mK的複合型新材料，以取代高端ALN DPC基板。戈副總表示，此技術將對射頻(RF)前端模組與功率模組帶來重大革命，永泉晶圓的技術突破將取得新一波國際競爭優勢。

技術自主、佈局完整　永泉晶圓成全球第三代半導體產業之光

憑藉自主長晶設備、自制粉料與籽晶、完整製程掌控力，永泉晶圓成功跨入全球極少數能量產12吋SiC單晶的企業。從6吋、8吋到跨世代的12吋佈局，永泉晶圓不僅強化第三代半導體供應鏈，更以突破性的12吋高導熱SiC產品配合帶動全球散熱技術革新。

展望未來，永泉晶圓將持續擴大產能、深化技術並加速國際合作，目標成爲全球化合物半導體供應鏈中最具影響力的核心技術供應者，爲半導體產業開啓下一個十年。