英偉達800V直流電源架構添中國力量，科創半導體ETF（588170）標的指數半導體設備、材料含量超80%

截至2025年8月4日 14點28分，上證科創板半導體材料設備主題指數強勢上漲1.21%，成分股富創精密上漲9.97%，京儀裝備上漲3.67%，和林微納上漲2.37%，晶升股份，明志科技等個股跟漲。科創半導體ETF（588170）上漲0.95%，最新價報1.06元。拉長時間看，截至2025年8月1日，科創半導體ETF（588170）近2周累計上漲3.03%。流動性方面，科創半導體ETF盤中換手8.84%，成交3631.50萬元。拉長時間看，截至8月1日，科創半導體ETF（588170）近1週日均成交5425.26萬元。規模方面，科創半導體ETF（588170）最新規模達4.09億元，創近3月新高。份額方面，科創半導體ETF（588170）最新份額達3.89億份，創近3月新高。從資金淨流入方面來看，科創半導體ETF（588170）近8天獲得連續資金淨流入，最高單日獲得1.18億元淨流入，合計“吸金”1.57億元，日均淨流入達1958.74萬元。

消息面上，8月1日，英偉達官網更新800V直流電源架構合作商名錄，氮化鎵龍頭企業英諾賽科上榜，爲英偉達 Kyber機架系統提供全鏈路氨化鎵電源解決方案。據報道，這也是名單中唯一的中國供應商。英諾賽科確認公司將進一步提升8英寸產能，預計 2025 年年底將從1.3萬片/月擴產至 2萬片/月。頭部廠商持續推動產能佈局，響應市場對 SiC/GaN需求的提升。

東方證券認爲，AI算力設施對 SiC/GaN器件需求提升，有望打開產業成長空間。SiC/GaN 在 AI 算力設施供電系統中的應用潛力尚未完全挖掘。未來，AI服務器及數據中心對 SiC/GaN 器件需求有望持續提升，打開產業成長空間。建議關注GaN行業龍頭；深度佈局 SiC/GaN 功率器件的頭部功率器件廠商及佈局 Si℃ 功率器件業務的晶圓代工企業等。

相關ETF：公開信息顯示，科創半導體ETF（588170）跟蹤上證科創板半導體材料設備主題指數，囊括科創板中半導體設備（59%）和半導體材料（25%）細分領域的硬科技公司。半導體設備和材料行業是重要的國產替代領域，具備國產化率較低、國產替代天花板較高屬性，受益於人工智能革命下的半導體需求擴張、科技重組併購浪潮、光刻機技術進展。

半導體材料ETF（562590）及其聯接基金（A類：020356、C類：020357），指數中半導體設備（59%）、半導體材料（24%）佔比靠前，充分聚焦半導體上游。