應材新技術 加速晶片製程

應材推出業界首創整合式「裸晶對晶圓」混合鍵合系統（die-to-wafer hybrid bonding）。該平臺把關鍵步驟（前處理、對位、鍵合與即時量測）整合於單一設備，實現高精度鍵合併縮小互連間距；同時具裸晶追蹤能力與疊對／漂移偵測，透過嚴謹控管步驟等候時間提升一致性與良率，特別適合GPU／HPC與HBM等高密度異質整合需求。

應材並與貝思半導體（Besi）協作，結合其高速高精度的裸晶放置與組裝實力，已有多家邏輯、記憶體與OSAT客戶導入評測。

先進邏輯方面則針對2奈米與以下節點的環繞式閘極（GAA）電晶體，解決源／汲極高深寬比溝槽的填充瓶頸。採「沉積-蝕刻」協同路徑，讓材料在側壁與溝底生長的同時動態調整開口，實現無空隙、均勻的源／汲極結構；相較傳統方案，可降低氣體用量約五成、單元間均勻度提升逾四成，有助釋放GAA開關性能與可靠度並強化製程視窗。

應材也推出PROVisionTM電子束量測系統，爲業界首款導入冷場發射（CFE）的高產能eBeam平臺，成像解析度最高提升約五成、速度可達10倍，具次奈米級深度成像與多層整合能力，可直接執行晶片上對準與精準關鍵尺寸（CD）量測。