廣州開發區、黃埔區：支持光刻、清洗、刻蝕、離子注入、沉積等設備、關鍵零部件及工具國產化替代

財聯社6月17日電，《廣州開發區 黃埔區支持集成電路產業高質量發展若干政策措施》近日發佈。其中提出，鼓勵發展光掩模、電子氣體、光刻膠、拋光材料、高純靶材等高端半導體和傳感器製造材料。積極引進國內重點基礎材料企業，穩步提升關鍵基礎材料供應能力。重點圍繞集成電路製造關鍵部件和系統集成開展持續研發和技術攻關，支持光刻、清洗、刻蝕、離子注入、沉積等設備、關鍵零部件及工具國產化替代。對於新引進的固定資產投資1000萬元以上的產業化項目，且政策有效期內實現小升規的企業，按照不超過其設備和工器具投資額的15%分檔給予扶持，最高1000萬元。