想追臺積電極難！　ARM執行長嘆：英特爾犯2大錯「被時間懲罰」

▲英特爾（Intel）。（圖／路透）

記者陳瑩欣／綜合報導

美國政府大力推動各界對半導體廠英特爾（Intel）注資、補助等策略，引發半導體圈熱議，不過ARM首席執行長哈斯（Rene Haas）卻認爲，Intel過去犯下2項重大錯誤，陷入「被時間懲罰」的狀態，要想超越臺積電已極爲困難。

哈斯在知名科技Podcastt節目《All In Podcast》上指出，Intel過去有2件重大決策誤判鑄成大錯。其一就是專注於消費類CPU領域，錯過行動裝置生產週期，英特爾憑藉「Atom」低功耗SoC系列試圖切入移動市場，但該系列晶片因性能和功耗平衡不足，未能滿足蘋果對產品能效的嚴苛要求。

哈斯說：「臺積電現在擁有世界上最好的晶圓廠，領先的公司，蘋果、輝達、AMD，都選擇臺積電製造。」

第2個錯誤在於遲遲未採用EUV（Extreme Ultraviolet lithography，極紫外光微影），哈斯直言「他們還因製造 EUV 而受到懲罰。EUV 是一種用於製造地球上最小晶片的先進方法。他們決定不以臺積電10年前的速度進行投資，結果他們落後了。」

臺積電自2015年起便投入EUV技術佈局，而英特爾直到2021年纔在Intel 4製程中引入該技術，導致其7nm製程量產時間比臺積電的5nm晚了近兩年。

《WCCFtech》也引述哈斯觀察，認爲美國還沒有培訓一代人將製造業工作視爲如此有利可圖和享有盛譽的工作。他認爲，社會仍將晶圓代工廠的職務視爲「哦，這是一份藍領工作，我不想走那種路。」

哈斯認爲臺灣對晶圓代工的工作者並不是這樣看的，哈斯說：「在臺灣，如果你說你在臺積電工作，你正在學習升職，這是一件非常有聲望的事情。」